社會高度關注政客民意調查的“死亡交叉”，卻少有人注意到另一個死亡交叉的出現，臺灣IC設計產業的營收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢，近日傳出有意“默許”業者轉經第三地赴大陸投資。
臺IC設計產值 被陸超越
IC設計繞過審查登陸 蔡默許不管
我們認為，政府這種思維與作法只能以“一錯再錯”名之，先錯估產業發展趨勢與需求，強硬阻擋兩岸IC設計產業合作，確定情勢不利后，竟不肯“開大門，走大道”，
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IC 晶圓
隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。
Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall
透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產業界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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Dialog GaN
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
產業發展需要扶植巨頭，因為他們不僅擁有人才管理、企業運營經驗，也擁有全球領先的管理制度和激勵制度，自主OS要崛起沒有捷徑可走。
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IC OS
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
德國卡爾斯魯厄理工學院 (KIT)研究人員成功開發了一種用以探測光學資料路徑的創新光探測器，占位面積不到100平方微米…
玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時代的傳輸高速公路──德國卡爾斯魯厄理工學院 (Karlsruhe Institute of Technology，KIT)研究人員成功開發了一種用以探測光學資料路徑的創新光探測器(photo detector)，是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設立了新標準，研究人員聲稱其占位面積不到100平
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IC 光探測器
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的業界領導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調光LED驅動器應用的LYTSwitch™-7 IC產品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應用。在LYTSwitch-7的設計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調光器的要求。另外，設計中的電感可采用現成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
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Power Integrations LYTSwitch-7 IC
受惠于大陸經濟持續成長，加上以中低階智能手機為主的行動裝置出貨量亦在此期間大幅成長，大陸IC產業產值從2010年210.3億美元逐年成長至2015年579.7億美元，2010~2015年復合成長率達19.1%。DIGITIME Research預估，雖然智能手機出貨量成長趨緩，加上全球經濟前景不確定性仍高，但在大陸IC內需市場仍能穩定成長，加上半導體產業政策支持推動下，2016年大陸IC產業產值將達666.4億美元，年成長15%。
十二五規劃期間，拜全球智能手機，尤其是中低階智能手機出貨大幅成長
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Digitimes IC
當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。
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GaAs GaN
同一家IC業者的前后兩場收購案引發不少勞資糾紛，在德國、美國與中國都有尚未平息的爭議…
Microchip的管理高層已經平息了大多數因為收購Atmel以及Micrel而產生的異議，不過在三塊大陸上仍有零星的不滿聲音。
有一個駐在德國德勒斯登(Dresden)的前Atmel設計團隊要求Microchip支付遣散費，聲稱該公司是做出錯誤的裁員決定;另外在美國有一小群前Atmel員工也要求拿到他們認為是前東家承諾支付的遣散費;還有在中國上海，有前Micrel員工抗議裁員。
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IC Microchip
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
根據WSTS的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%。
根據歐洲半導體產業協會(ESIA)引用世界半導體貿易統計協會(WSTS)的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%達到3,270億美元，而在隨后的幾年可望看到整體產業轉趨于適度成長。
WSTS一改先前對于2016年的成長預測，同時也延緩對于成長前景的預期。根據該市調公司的最新估計，全球半導體市場可望在2017年和2018年之間看到成長，成長力道主要來自亞太地區，以及光電、感測器與類比IC市場的成長。
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半導體 IC
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
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