經濟新聞日報》道，臺積電將于 10 月破土動工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產計劃于 2027 年底在構成 Fab 25 的四個晶圓廠中的第一個進行。Fab 25 將在臺中市附近的臺灣中部科學園區舉行。所有四個晶圓廠都將運行 1.4nm 工藝，能夠生產 50k wpm。該工廠將容納四家工廠，最初的晶圓廠計劃于 2027 年底開始試生產，并于 2028 年下半年量產。臺積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比，邏輯密度超過
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臺積電 1.4nm 晶圓廠
據報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現 2nm 和 18A 的量產，三星也在調整其業務戰略。據 ZDNet 稱，它現在專注于提高和優化其當前先進節點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產現在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據 ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態系統）論壇 2025”期間發布的。據報道，在此次活動中，三星透
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三星 2nm 4nm 1.4nm
據韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯技術上的顯著進展。UCIe（統一芯粒互聯接口）是一種通用的芯粒互聯標準，能夠實現不同來源和工藝的芯粒之間的互聯通信，從而將分散的芯粒生態系統整合為統一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優化，以支持UCIe IP的開發。此次原型芯片的成功運行，表明其技術已具備向商業量產邁進的能力。
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據臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數據中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發送到中國臺灣的臺積電的先進封裝廠利用CoWoS技術進行先進封裝。雖然臺積電也計劃在美國建設兩座先進封裝廠，但是目
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臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的后續一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處于風險生產階段，預計今年晚
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臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節點下一代先進芯片技術，”臺積電業務發展和全球銷售高級副總
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移動處理器大廠高通（Qualcomm）計劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場關注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍傾向于與老伙伴臺積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關消息的南韓科技媒體SamMobile報導，盡管三星的4納米制程已經通過測試，也經過市場驗證，看似有搶單的機會，然而高通似乎仍對三星持保留態度，最終還是決定交由臺積電獨家代工這款新芯片。其實三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺發布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細節，并透露該芯片的各項配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節點4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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知情人士稱，蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠（Fab 21）生產的4nm芯片已進入最后的質量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產。不過，臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠，目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質量保證階段，預計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開始向蘋果設備供貨。▲ 臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業務部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動了4nm制程的試生產。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發的 HBM4 內存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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12月30日消息，據國外媒體報道稱，臺積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開始量產4nm工藝，蘋果、英偉達、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過，對于消費者來說就不那么友好了，因為如果真是這樣的話，那么大家要承擔30%漲價。為什么這么說？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區投產，但生產成本預計將比現有的高出30%，這是美國客戶需要考慮的問題。據悉，該工廠將負責4nm生產，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產2nm，盡管目前這還有點不確定。按照
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據彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續如果量產，良率將不是問題。根據規劃，臺積電將在美國亞利
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7月29日消息，高通正式發布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術。CPU為八核心設計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內核和6個A55內核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內存。與前代產品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數有所降低，例如CPU大核主頻從2
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根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節點制程的產品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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