ASML 回?fù)糍|(zhì)疑：High-NA EUV 光刻仍是未來(lái)最經(jīng)濟(jì)選擇

 2 月 2 日消息，ASML 首席財(cái)務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當(dāng)?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機(jī)構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機(jī)仍是未來(lái)最經(jīng)濟(jì)的選擇。

SemiAnalysis 之前刊發(fā)文章，認(rèn)為 High-NA 光刻技術(shù)將使用更高的曝光劑量，從而明顯降低單位時(shí)間內(nèi)的晶圓吞吐量。這就意味著，相較于沿用現(xiàn)有的 0.33NA EUV 光刻機(jī)并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近期不會(huì)帶來(lái)成本優(yōu)勢(shì)。

Dassen 認(rèn)為，SemiAnalysis 的觀點(diǎn)輕視了多重曝光路線的復(fù)雜程度，英特爾 10nm 制程難產(chǎn)的關(guān)鍵原因之一就是其 DUV+SAQP（IT之家注：Self-Aligned Quadruple Patterning，即自對(duì)準(zhǔn)四重曝光）技術(shù)路線過(guò)于復(fù)雜，正因此英特爾積極布局 High-NA EUV 技術(shù)，買(mǎi)下了第一臺(tái) High-NA 光刻機(jī)。

Dassen 表示，不同客戶(hù)對(duì)于引入 High-NA 的時(shí)間點(diǎn)有不同評(píng)估是很自然的，不過(guò) AMSL 每季度都獲得了數(shù)個(gè) High-NA EUV 光刻機(jī)新訂單。