三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產

當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。

這家韓國巨頭今日宣布，已經出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。

得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。

三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12英寸晶圓的生產率翻番。

不過，目前支持DDR5的PC平臺尚未亮相，LPDDR5倒是已經逐漸鋪開。三星量產的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點是平澤市的V2線。

根據三星此前的預判，EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。