宏力與力旺擴大合作開發多元解決方案與先進工藝

　　晶圓制造服務公司宏力半導體與嵌入式非揮發性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布，雙方透過共享資源設計平臺，進一步擴大合作范圍，開發多元嵌入式非揮發性存儲器解決方案。力旺電子獨特開發的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術，將全面導入宏力半導體的工藝平臺，宏力半導體并將投入OTP與MTP知識產權(Intellectual Patent, IP)的設計服務，以提供客戶全方位的嵌入式非揮發性存儲器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優勢，服務微控制器(MCU)與消費性電子客戶，共同開發全球市場。

　　宏力半導體與力旺電子自2005年起即于OTP工藝平臺展開合作，近期雙方成功推出的0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP工藝平臺已有數十項產品相繼投入量產。此次擴展合作范圍，除包括原有的OTP工藝平臺，更擴大倒入至MTP領域，預計將能以更完整的嵌入式非揮發性存儲器工藝平臺，強化技術服務支援廣度，滿足更多不同客戶需求。

　　宏力半導體企業發展與戰略暨法務單位副總裁傅城博士表示：“結合力旺電子卓越的技術與服務支援能力，宏力半導體將能提供客戶極具競爭優勢的低成本嵌入式非揮發性存儲器工藝平臺，包括OTP與MTP技術，相信能為客戶進一步降低制造與研發成本，加速產品上市時間。展望未來，宏力半導體將持續發展高附加價值的差異化工藝，協助客戶在微控制器與消費性電子市場中掌握制勝先機。”

　　力旺電子總經理沈士杰博士表示：“力旺電子非常榮幸能與宏力半導體展開更深入的合作，使力旺電子的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術，能夠全方位導入宏力半導體的各項工藝平臺，再加上宏力半導體在NVM IP設計服務工作的投入，為客戶帶來更具競爭性的嵌入式非揮發性存儲器解決方案，未來雙方也將持續緊密合作，以提供市場更具成本效益且性能卓越的嵌入式非揮發性存儲器平臺。”

　　目前宏力半導體與力旺電子合作的0.18微米邏輯與高壓OTP工藝平臺已完成建置，并已進入量產階段多年;0.13微米OTP工藝平臺預計于2011年底通過可靠性驗證;0.18微米的MTP工藝平臺則預計于2012年Q1通過可靠性驗證，屆時可提供更加豐富的嵌入式非揮發性存儲器IP組合，進而使應用產品端客戶進一步受惠。