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    sk 海力士 文章 最新資訊

    SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

    • ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝,提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式,突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日,SK海力士宣布,公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù),將與臺(tái)積電公司密切合作,雙方近期簽署了諒解備忘錄(MOU)。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4,即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示:“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者,與全球頂級(jí)邏輯代
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    【電動(dòng)車和能效亮點(diǎn)】SK On計(jì)劃從2026年開始量產(chǎn)磷酸鐵鋰電池

    • 據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,韓國(guó)SK創(chuàng)新旗下電池部門SK On可能會(huì)按照客戶需求,從2026年開始大規(guī)模量產(chǎn)磷酸鐵鋰(LFP)電池。SK On首席執(zhí)行官兼總裁Lee Seok-hee在2024年首爾電池儲(chǔ)能展覽會(huì)上表示:“公司內(nèi)部已經(jīng)完成了磷酸鐵鋰電池的自主研發(fā),如果我們與客戶完成協(xié)商,將從2026年開始實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?!盠ee Seok-hee預(yù)計(jì),通常用于中短續(xù)航里程電動(dòng)汽車的磷酸鐵鋰電池的市場(chǎng)需求將迎來激增。Source: Getty Images分析觀點(diǎn)深度解析盡管磷酸鐵鋰電池的能量密度較低,導(dǎo)致電動(dòng)汽車的續(xù)航里程相
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    SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’,全球首次投入量產(chǎn)并開始向客戶供貨

    • · 繼HBM3,其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開始向客戶供貨,期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位,并鞏固業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”2024年3月19日,SK海力士今日宣布,公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*,將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后,僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示,“繼HBM3,公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
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    鎧俠愿意為SK海力士生產(chǎn)芯片

    • 要想實(shí)現(xiàn)目標(biāo),就得舍得投入。
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    1年利潤(rùn)暴跌84.9%!三星樂觀 今年業(yè)績(jī)回暖:存儲(chǔ)漲價(jià)是開始

    • 2月1日消息,存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過,全年利潤(rùn)暴跌84.9%,確實(shí)沒辦法,不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年?duì)I收為258.94萬億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說法,2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖,其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止,只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
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    OpenAI首席執(zhí)行官本周訪韓,預(yù)計(jì)將與SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)討論AI芯片合作

    • 1 月 22 日消息,隨著企業(yè)和消費(fèi)者對(duì)人工智能(AI)應(yīng)用興趣的日益濃厚,對(duì)人工智能芯片的需求也在強(qiáng)勢(shì)上漲。因擔(dān)心人工智能芯片短缺,美國(guó) AI 初創(chuàng)公司 OpenAI 正在討論解決方案,促使以 OpenAI 為代表的 AI 研發(fā)企業(yè)開始考慮走上自己生產(chǎn) AI 芯片的道路。根據(jù)多家外媒的報(bào)道,OpenAI 希望成立一家芯片制造公司,因此 OpenAI CEO 薩姆?阿爾特曼(Sam Altman)正在說服更多潛在投資者加入這一計(jì)劃。韓國(guó)東亞日?qǐng)?bào)稱,阿爾特曼本周訪問韓國(guó)首爾,期間可能同 SK 集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源
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    英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

    • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購(gòu)官 Angelique van der Burg 表示:“對(duì)于英飛凌來說,供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)并推
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    后疫情時(shí)代需求爆發(fā),半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來新的曙光

    • 疫情后數(shù)字時(shí)代的復(fù)蘇,使得世界數(shù)字經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展、數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)百業(yè)待興,因此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)也逐漸迎來活力;存儲(chǔ)市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格戰(zhàn),減產(chǎn)維穩(wěn)到“硬漲價(jià)”,每一步都讓我們看到了日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)。當(dāng)然,在面對(duì)挑戰(zhàn)和威脅的時(shí)候,也激勵(lì)著存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)突破。與此同時(shí),環(huán)境的不確定性驟增,人工智能、閃存等技術(shù)的快速發(fā)展,也讓市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分化,各細(xì)分領(lǐng)域爭(zhēng)奪激烈。存儲(chǔ)器是集成電路的重要組成部分,根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì),2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5741億美金,其中集成電路市場(chǎng)規(guī)模4744億美金,占比 82.6%,存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模
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    你所需要知道的HBM技術(shù)

    • 在2024年即將到來之際,多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè),認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一。回顧2023年,年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮,不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用,這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域,根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2023年和2024年,AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí),也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求。 HBM是何方神圣? 首先,我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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    消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%

    • 11 月 28 日消息,上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下,SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%,是他們自成立以來市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來看,DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士,也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示,SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%;三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
    • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  海力士  

    三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元,連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)

    • 11 月 30 日消息,據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年開始,受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響,全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑,三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下,DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升,銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示,在今年三季度,全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%,在一季度的 93.7 億美元之后,已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng),也就意味著主要廠商的銷售額,環(huán)
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    存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭

    • 三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)近期接續(xù)舉行法說,釋出對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)看法,兩大廠商均表示,PC、手機(jī)終端庫(kù)存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱,而AI服務(wù)器需求則較為強(qiáng)勁。業(yè)界人士認(rèn)為,存儲(chǔ)器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷,在獲利數(shù)字翻正前,應(yīng)會(huì)持續(xù)減產(chǎn)策略,預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報(bào)價(jià)向上趨勢(shì)不變。臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季,三星認(rèn)為,市場(chǎng)復(fù)蘇將加速,在旺季帶動(dòng)之下,市場(chǎng)DRAM、NAND Flash位出貨量,可望分別
    • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  三星  海力士  

    全面暫停生產(chǎn)!知名半導(dǎo)體大廠宣布倒閉,虧損超8倍

    • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的重要支撐,對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步起著關(guān)鍵性的作用。半導(dǎo)體在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,扮演著連接現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界的橋梁。然而,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。1、技術(shù)研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)日新月異,要保持競(jìng)爭(zhēng)力必須不斷進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新。新興技術(shù)的涌現(xiàn)不僅促使企業(yè)進(jìn)行升級(jí)換代,同時(shí)也帶來了更多的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。然而,技術(shù)研發(fā)需要投入大量的資金和人力資源,對(duì)于規(guī)模較小的企業(yè)來說具有較大的挑戰(zhàn)。       2、產(chǎn)品質(zhì)量半
    • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  通信  

    三星和海力士中國(guó)工廠獲得美國(guó)無限期豁免

    • 韓媒報(bào)道,美國(guó)將無限期延長(zhǎng)對(duì)三星電子和 SK 海力士在中國(guó)業(yè)務(wù)的豁免。
    • 關(guān)鍵字: 三星  海力士  

    消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝,即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

    • IT之家 9 月 12 日消息,根據(jù)韓國(guó) The Elec 報(bào)道,三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外,也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器(HBM)的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多,處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng),目前主流 HBM 堆疊 8 層,而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工藝,而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合(Hybrid Bonding
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    sk 海力士介紹

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