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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項(xiàng)目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子海力士 DRAM ISi 消費(fèi)電子

據(jù)路透財(cái)經(jīng)報(bào)道，韓國(guó)最大移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商SK電訊高層表示，中國(guó)今年發(fā)放3G牌照的可能性不大。 SK電訊首席運(yùn)營(yíng)官Lee Bang-hyung在首爾參加“路透全球技術(shù)、媒體和電信峰會(huì)”時(shí)表示，“關(guān)于中國(guó)3G牌照，我們聽到市場(chǎng)傳言是，可能在10月份中國(guó)全國(guó)人大會(huì)議召開后發(fā)放”，“(但是)今年發(fā)牌的可能性不大”。 SK電訊去年斥資10億美元，購(gòu)入中國(guó)聯(lián)通的可換股債券，雙方在CDMA領(lǐng)域上有獨(dú)家合作協(xié)議。市場(chǎng)認(rèn)為，SK電信的入股反映其對(duì)聯(lián)通取得基于CDMA的3G牌照抱有信心，并希望與聯(lián)通合作拓展全球最大的手機(jī)
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韓國(guó)領(lǐng)先的互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新通信服務(wù)供應(yīng)商之一 SK Communications 現(xiàn)已選用Global IP Solutions (GIPS) 公司的 VoiceEngine™ PC Advanced 嵌入式語音處理解決方案，以提升其 NateOn 實(shí)時(shí)信息 (instant messaging, IM) 服務(wù)的質(zhì)量。 S
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26日, 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體表示,計(jì)劃投資4.6萬億韓元(合約49.7億美元)建造新廠，并擴(kuò)張現(xiàn)有生產(chǎn)線。海力士為全球第二大動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)制造商。該公司在提交韓國(guó)證交所的文件中表示，將投資3.8兆韓元在國(guó)內(nèi)建造12寸晶圓新廠，并在2009年年中前完成投資。該公司本季也將投資7920億韓元擴(kuò)張并升級(jí)現(xiàn)有廠房。
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海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無錫，這座占地800余畝的新廠位于無錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片。這個(gè)晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國(guó)單體投資最大的半導(dǎo)體項(xiàng)目，同時(shí)它也是無錫市政府引進(jìn)的江蘇省最大的外商獨(dú)資項(xiàng)目，因此被無錫當(dāng)?shù)氐膱?bào)紙稱為“晶圓航母”。新工廠一投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，馬上就可以量產(chǎn)最先進(jìn)的12英寸的70nm晶圓，而且未來４期項(xiàng)目的總投資額將有望超過１００億美元。業(yè)界一些專家和權(quán)威人士也對(duì)這個(gè)項(xiàng)目普遍稱道，認(rèn)為該項(xiàng)目將使中國(guó)和世界半導(dǎo)體頂尖技術(shù)的差距縮短５～１０
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　　意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國(guó)江蘇省無錫市合資建立的存儲(chǔ)器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國(guó)地方及國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。這個(gè)技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來的巨大的經(jīng)濟(jì)效益，將能提前進(jìn)入飛速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。無錫晶圓制造廠將加快
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海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。韓國(guó)業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場(chǎng)需求彈性生產(chǎn)。無錫廠區(qū)達(dá)16萬平方米，海力士計(jì)劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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