- 全球第二大計算機內存芯片廠商海力士半導體周三稱，它已經開發出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內存芯片。
海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術)的新技術，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內存芯片。TSV技術與以前的技術相比具有速度更快和耗電量更少的優勢。
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- 韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協調。海力士半導體研發部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實現高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本。
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- 據路透(Reuters)報導，全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進行資本投資。
據海力士計劃，該筆資金將用于擴張既有廠房、設備升級與研究開發工作。該公司公開說明指出，本次投資規畫旨在因應市場需求與成本競爭壓力加劇。
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- 據國外媒體報道，韓國半導體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴大和升級現有工廠，以及開展研發工作。
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- 存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關的應用領域之外，市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產行列，全球NAND Flash產業4大天王將全部到齊!
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- 1月30日，海力士半導體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目，由國家開發銀行江蘇省分行、中國農業銀行江蘇省分行為聯合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設銀行、中信銀行共同參與組建銀團，融資總額4.5億美元。這次銀團簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規模集成電路生產線項目銀團后的又一次成功合作。
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- 韓國《東亞日報》周一報道，海力士半導體債權人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導體的債權人可能會繼續為他們所持海力士半導體的剩余股份尋找買家。
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- 海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發出2款計算機用DRAM產品，將首度采用30納米級制程量產。據海力士表示，計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品，2011年第1季將先量產2Gb產品。
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- 據彭博(Bloomberg)報導，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發言人證實首爾經濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。
彭博電話訪問發言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調整。Park進一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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- 海力士半導體發言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開始量產30納米芯片。
這一表態證實了韓國網絡新聞媒體edaily此前的相關報道。
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- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應與產品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術，以生產高階晶片。
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- 海力士半導體(Hynix)M8產線未來將以代工事業為重心。據南韓電子新聞報導，近期海力士以部分IC設計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用驅動芯片(DDI)、傳感器專門IC設計等企業皆為協商對象。
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- 11月19日電全球第二大計算機存儲芯片制造商海力士半導體(Hynix Semiconductor)周五表示，計劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級芯片產能。
該公司對證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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- 受惠于出貨成長及轉進優勢芯片的策略奏效，南韓海力士半導體第三季營業利益創下歷史次高記錄。海力士預估，內存芯片價格將于明年第一季開始止跌回穩。
海力士周四公布，第三季營業利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場預期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍，同時逼近上一季創下的1.05兆韓元的歷史新高。
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- 韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產出量提高約25%。
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