海力士DRAM制程升級到30納米級

　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發出2款計算機用DRAM產品，將首度采用30納米級制程量產。據海力士表示，計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品，2011年第1季將先量產2Gb產品。

　　三星于2010年7月率先采用35納米制程量產計算機用2Gb DRAM產品，且近來已完成4Gb產品開發作業，并著手準備投入量產。30納米級的半導體電路線幅約為人類頭發粗細的4,000分之1，將電路線幅縮減至納米大小，連帶可縮減半導體產品體積，使用單一晶圓(wafer)能生產的半導體數量也較多。

　　相較于40納米制程，30納米制程使用單一晶圓可生產的半導體數量增加60~70%。不僅提升生產性，也有利于提升成本競爭力。海力士采用38納米制程制造DRAM時，較目前采用的44納米制程產量提升約70%。

　　海力士表示，采用38納米制程生產的產品資料處理速度最高可提升至2,133Mbps，較44納米制程產品資料傳輸速度提升約60%。此外更減少44納米制程產品約50%的耗電量。

　　海力士副社長樸星昱表示，目前2Gb DRAM產品占整體貨量50%，未來將擴大高容量、高性能、低耗電產品比重，期望能引領4Gb等高容量產品市場。