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    28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
　　三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項??。
　　Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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    • 關鍵字：
                        FD-SOI  存儲器                          
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    Power Integrations推出可控硅調光LYTSwitch-7 LED驅動器IC，可將BOM元件數減少40%
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的業界領導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調光LED驅動器應用的LYTSwitch™-7 IC產品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應用。在LYTSwitch-7的設計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調光器的要求。另外，設計中的電感可采用現成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  LYTSwitch-7 IC                          
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    中晟宏芯拿到Power 8架構和指令集永久授權
    
                                                            
      
                    	
    • 　　中國政府日漸寬松的安全政策，令IBM可以通過將專利授權給中國廠商的方式，間接進入對外資IT企業來說門檻頗高的政府部門和工業核心領域的服務器市場
　　6月22日，蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對外公布，該公司已拿到IBM服務器處理器芯片Power 8芯片架構和指令系統的永久授權，并可以基于該芯片進行自主創新。所謂“指令系統”，是指用來計算和控制計算機系統的一套指令的集合。
　　中晟宏芯成立于2013年，其員工主要來自中科院計算所和IB
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    • 關鍵字：
                        中晟宏芯  Power 8                          
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    FD-SOI制程決勝點在14nm！
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
　　半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
　　

 

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    • 關鍵字：
                        FD-SOI  14nm                          
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    Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發
    
                                                            
      
                    	
    • 　　Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
　　晶圓代工業者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
　　Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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    • 關鍵字：
                        Globalfoundries  FD-SOI                          
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    RF-SOI技術：加強5G網絡和智能物聯網應用
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無線設備提供持續強勁且清晰的網絡連接。　　移動市場對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性價比實現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實現低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時有望在物聯網中發揮關鍵作用。　　
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    • 關鍵字：
                        RF-SOI  5G                          
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    Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  IGBT                          
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    Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  IGBT                          
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    FD-SOI會是顛覆性技術嗎？
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
　　“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
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    • 關鍵字：
                        FD-SOI  FinFET                          
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    Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關電源IC，可提高效率和待機功耗性能
    
                                                            
      
                    	
    • 　　致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日發布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規相關的消費電子應用(TEC法規是由政府認定的重要總能耗法規)。　　InnoSwitch IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術，該技術由Power Integrations發明，可在省去不可靠的光耦器
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  InnoSwitch                           
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    Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關電源IC，可提高效率和待機功耗性能
    
                                                            
      
                    	
    • 　　致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power?Integrations公司今日發布InnoSwitch?-CE?IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關IC的子系列。InnoSwitch-CE?IC適用于TEC法規相關的消費電子應用(TEC法規是由政府認定的重要總能耗法規)。　　InnoSwitch?IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術，該技術由Power?Integrations發明，可在省去不可靠的光耦器
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  InnoSwitch                           
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    中國真的對FD-SOI制程技術有興趣？
    
                                                            
      
                    	
    • 　　身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
　　因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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    • 關鍵字：
                        FD-SOI  FinFET                          
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    FD-SOI與FinFET互補，是中國芯片業彎道超車機會
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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    • 關鍵字：
                        FD-SOI  FinFET  制造  201604                          
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    Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業及三相電源應用 
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日發布900 V恒壓/恒流離線反激式開關IC器件，為InnoSwitch?-EP產品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業控制、電機驅動、儀表計量和可再生能源方面的應用，同時也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續工作的標準電網電壓的應用。900 V InnoSwitch-EP IC實現的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設計
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations  InnoSwitch-EP                          
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    Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業及三相電源應用 
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 　　致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日發布900 V恒壓/恒流離線反激式開關IC器件，為InnoSwitch?-EP產品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業控制、電機驅動、儀表計量和可再生能源方面的應用，同時也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續工作的標準電網電壓的應用。900 V InnoSwitch-EP IC實現的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設計
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    • 關鍵字：
                        Power Integrations   InnoSwitch-EP                          
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