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    rf-soi 文章 最新資訊

    超低噪聲開關穩(wěn)壓器在噪聲敏感型射頻應用中的優(yōu)勢

    • 新型超低噪聲開關穩(wěn)壓器具有超低噪聲、高效率、小尺寸和大電流的特點,非常適合各種對噪聲敏感的射頻應用場景,包括5G/無線通信、防務領域、儀器儀表等。Silent Switcher 3進階型開關穩(wěn)壓器系列擁有超低的輸出噪聲,在低頻范圍(0.1 Hz至100 kHz)內,其噪聲甚至比大多數(shù)低壓差(LDO)穩(wěn)壓器還要低。本文研究了與傳統(tǒng)的降壓式穩(wěn)壓器加LDO穩(wěn)壓器解決方案相比,在噪聲敏感型RF系統(tǒng)中應用超低噪聲開關穩(wěn)壓器所面臨的挑戰(zhàn)和帶來的系統(tǒng)優(yōu)勢。
    • 關鍵字: 穩(wěn)壓器  射頻  RF  ADI  

    使用模擬預失真進行射頻功率放大器線性化

    • 我們探討了用于線性化射頻放大器的模擬預失真的基本概念,并回顧了一些常見的實現(xiàn)方式。現(xiàn)代通信系統(tǒng)使用具有時變包絡和相位角的信號。為了處理這些信號,發(fā)射機需要線性功率放大器(PA)。然而,它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知,這樣的放大器不可避免地是非線性的。幸運的是,有許多方法可以線性化功率放大器的響應。我們在上一篇文章中了解到的一種方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號中減去。這被稱為前饋線性化。預失真是另一種常用的線性化技術。它不是在輸出端校正信號,而是在功率放大器之前放置一個非線性電路,使組
    • 關鍵字: 線性化射頻放大器  RF  

    射頻(RF)基本理論

    • 1. 什么是射頻?射頻簡稱RF,是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了,依據(jù)麥克斯韋的電磁場理論:振蕩的電場產生振蕩的磁場,振蕩的磁場產生振蕩的電場,電磁場在空間內不斷向外傳播,形成了電磁波。下圖可以大致體現(xiàn)體現(xiàn)這個過程,E代表電場,B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發(fā)生變化。通常情況下,射頻(RF)是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統(tǒng)稱,被廣泛應用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號,可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
    • 關鍵字: 射頻  RF  

    X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

    • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術:基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
    • 關鍵字: X-FAB  BCD-on-SOI  嵌入式數(shù)據(jù)存儲  

    晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網感測器方案

    • 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器,提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度,實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質量。通過BSI NIR+技術,安防監(jiān)控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈,并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC,可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網 AI 相機等領域。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-K30
    • 關鍵字: 晶像光電  SOI  JX-K302P  物聯(lián)網感測器  

    利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲

    • 關于射頻模擬設計中的噪聲分析,通過示例了解噪聲系數(shù)度量,包括本規(guī)范的關鍵方面。除了一些特定的應用,例如,當需要抖動效果時,噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象。科學家和工程師已經表征了不同電路元件產生的噪聲,并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中,我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而,在射頻(RF)設計中,噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中,我們將介紹噪聲系數(shù)度量,強調該規(guī)范的一些微妙之處,最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
    • 關鍵字: 噪聲系數(shù)度量,射頻電路,噪聲,RF  

    單級小信號 RF 放大器設計

    • 本文要點:? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器,放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成,晶體管偏置使器件在有源區(qū)運行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當晶體管偏置為有源區(qū)時,施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現(xiàn)波動。波動的輸出電流流過輸出電阻,產生經過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且(與靜態(tài)工作點相比)輸出電流波動較小,它們稱為
    • 關鍵字: RF  放大器  

    RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域?

    • 在采樣速率和可用帶寬方面,當今的射頻模數(shù)轉換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展,其中還納入了大量數(shù)字處理功能,電源方面的復雜性也有提高。那么,RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域?為了解電源域和電源的增長情況,我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢,大約在數(shù)十MHz內,而數(shù)字內容很少,幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點幾何尺寸較大,約在180 nm或更大。使用單電壓
    • 關鍵字: ADI  RF  ADC  

    Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術

    • 近期,Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示,通過此次收購,公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛(wèi)星通信應用開發(fā)新的GaN器件產品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示,公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
    • 關鍵字: Guerrilla RF  Gallium GaN  

    晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網感測器方案

    • 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器,提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。可搭配不同平臺SOC,適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網 AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術,可為在低光或無光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性,同時降低總功耗
    • 關鍵字: 晶像光電  SOI JX-F355P  物聯(lián)網感測器  

    純化合物半導體代工廠推出全新RF GaN技術

    • 6月14日,純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術測試版NP12-0B平臺。目前,NP12-0B鑒定測試已經完成,最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成,并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產版本。據(jù)穩(wěn)懋半導體介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術,該技術結合了多項改進,以增強直流和射頻的耐用性,并增加芯片級防潮性。NP12-0
    • 關鍵字: 純化合物  半導體  RF GaN  

    意法半導體為MCU開啟FD-SOI時代

    • 意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級進化,并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
    • 關鍵字: 意法半導體  MCU  FD-SOI  STM32  

    為何在RF設計中理解波反射非常重要?

    • 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸,導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路(例如同軸電纜或微帶線),并定義波量a和b,如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來定義電壓反射系數(shù)Γ,它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值:反射系數(shù)也可以
    • 關鍵字: ADI  RF  波反射  

    羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列(Sony)合作,達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)里程碑

    • 羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列(Sony)合作,達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上,羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進行NTN NB-IoT測試的實時演示。與Sony的合作中,羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
    • 關鍵字: 羅德與施瓦茨  索尼  3GPP Rel. 17  NB-IoT  RF  

    “白菜化”的有源相控陣雷達

    • 就在幾個月之前,一則消息被各大媒體平臺報道:2023年7月3日,為維護國家安全和利益,中國相關部門發(fā)布公告,決定自8月1日起,對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到,不知道從什么時候開始,我國的鎵和鍺已經悄悄成為了世界最大的出口國。根據(jù)一份中國地質科學院礦產資源研究所2020年的一份報告顯示,目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸,中國的鎵金屬儲量居世界第一,約占世界總儲量的 80%-85%,而我國的鎵產量則是壓倒性的占到了全球產量的90%到95%。而作為鎵的化合物,砷化鎵、氮
    • 關鍵字: 雷達  RF  氮化鎵  相控陣  
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