- 美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺,成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅),專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管,目前并不為業內看好,因為無論Intel還是三星、臺積電,22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管,也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳,自己搞不出足夠好的立體晶體管技術,22nm上只能繼續改進平面型,20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝,以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當,為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求,但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺,全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅),專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管, 目前并不為業內看好,因為無論Intel還是三星、臺積電,22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳,自己搞不出足夠好的立體晶體管技術,22nm上只能繼續改進平面型,20nm上努力了一陣放棄了,14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠,必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶,有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露,該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數校正IC,新器件可在整個負載范圍內提供高功率因數及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續輸出功率要求達405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達900 W的應用,而且在10%負載點到滿載的范圍內其效率均超過95%,空載功耗則低于60 mW。功率因數在20%負載點可輕松達到0.92以上。
高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
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Power Integrations HiperPFSTM-3
- 身為記者,我有時候會需要經過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿,然后才能把許多線索串聯在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)就是一個例子。
我從美國旅行到中國接著又到歐洲,在與電子產業人士討論技術的過程中,發現FD-SOI從一個不容易了解的名詞,逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術,我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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晶圓 FD-SOI
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路行業領導者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創新的雙端子X電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應用和輸出功率,可提高設計的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容,并且額定1 kV的擊穿電壓可經受6 kV的瞬態電壓,因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。
CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開關
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Power Integrations CAPZero
- 近日,華勝天成的成員公司北京新云東方系統科技有限責任公司(以下簡稱“新云東方”)宣布:基于安全可靠的IBM POWER微處理器以及AIX操作系統技術的新云東方全系列國產服務器上市。
簡單的新聞,信息量卻不小。
國產POWER服務器:背靠大樹好乘涼
從2013年8月OpenPOWER基金會成立,到2014年11月北京市經信委、IBM、華勝天成就建立完整的可信高端計算系統產業鏈簽署三方合作諒解備忘錄,再到4月20日“新云東方”Power S
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POWER 服務器
- 美國《紐約時報》網絡版撰文稱,由于中美兩國政府在網絡安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業授權了基礎技術,希望以此適應當下的趨勢,更好地融入中國市場。
作為中國網絡安全領域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現狀發出了風險警告。
但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業的代表企業IBM展開了合作。根據北京市經濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術。
過去16個月,IBM已經同意向這家名叫華勝天成的
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IBM Open Power
- 導語:美國《紐約時報》網絡版今天撰文稱,由于中美兩國政府在網絡安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業授權了基礎技術,希望以此適應當下的趨勢,更好地融入中國市場。
以下為文章主要內容:
作為中國網絡安全領域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現狀發出了風險警告。
但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業的代表企業IBM展開了合作。根據北京市經濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術。
過去16個
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IBM Open Power
- Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進射頻解決方案的先驅,宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數字步進衰減器以及一個數字SPI接口,全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較,這種單片射頻控制器的線性度高,隔離性能好,能夠控制很大的功率,相位調諧靈活性極強,對于兩路動態負載調制放大器結構,例如多爾蒂(Doherty)功率放大器,是理想的射頻控制方案
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Peregrine SOI MPAC
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)今日發布全新的參考設計套件RDK-420,這款10 W恒壓/恒流USB充電器基于PI公司革新性的InnoSwitch™-CH系列高集成度開關IC設計而成。InnoSwitch IC將初級側開關與初級控制器、次級控制器和反饋電路同時集成到一個符合全球安全標準的表面貼裝封裝內。
InnoSwitch IC采用精確的次級側調節(SSR)及高速數字FluxLink&trade
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Power Integrations InnoSwitch
- 美國國家安全局的數據收集活動,增加了中國對美國科技公司的不信任。國產化趨勢在逐漸擴大,而IBM充分利用這一形勢,把Power技術完全開放,英特爾在中國的市場地位必將受到有力挑戰。
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Power 英特爾
- IBM公司不僅擁有強大的服務企業制造業務,其也能夠自行制造Power架構的服務器處理器,不過這種芯片,很少被IBM之外的公司采用。而據美國權威媒體報道,IBM已經將Power架構芯片技術對行業伙伴授權,而中國的一家公司,即將生產出定制化的服務器處理器,客戶主要瞄準中國國內大企業。
獲得IBM技術授權的是位于中國蘇州的蘇州中晟宏芯信息科技有限公司,該公司生產的Power架構處理器,也將是IBM對外開放授權的OpenPower計劃中,第三方授權公司所制造的第一款處理器。
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IBM Power
- 全球領先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit,PDK)。這標志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證,并正式投入供客戶設計開發使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協助客戶快速完成高質量射頻器件的設計與流片。
華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關應用優化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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華虹半導體 SOI
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