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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財(cái)報(bào)，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達(dá)到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達(dá)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強(qiáng)勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場(chǎng)的份額超過三星。報(bào)告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場(chǎng)36%的份額，而三星是34%。
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沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM
- 三星對(duì)此消息表示，無法確認(rèn)。 但法人認(rèn)為，HBM市場(chǎng)年復(fù)合成長率超過45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應(yīng)有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強(qiáng)爭霸」地位。與此同時(shí)，陸廠加快進(jìn)攻高階存儲(chǔ)器市場(chǎng)。 長鑫存儲(chǔ)宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計(jì)劃2025年將產(chǎn)能擴(kuò)至每月18萬片晶圓，目標(biāo)2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進(jìn)軍HBM鋪路。長江存儲(chǔ)則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2
- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng)，HBM內(nèi)存也是同步升級(jí)，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn)。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級(jí)為下一代HBM4內(nèi)存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級(jí)為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存；而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時(shí)，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲(chǔ)器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級(jí)電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運(yùn)行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時(shí)，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級(jí) 成人中指大小
- 2月17日消息，據(jù)BK最新報(bào)道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動(dòng)其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實(shí)了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對(duì)B2B服務(wù)器市場(chǎng)和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是系統(tǒng)級(jí)芯片高級(jí)內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強(qiáng)個(gè)人AI超級(jí)計(jì)算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠
- Micron Technology 已開始在新加坡建設(shè)其價(jià)值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因?yàn)轭A(yù)計(jì)在 AI 熱潮中，未來幾年對(duì) HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開始運(yùn)營。美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計(jì)劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進(jìn)的人工智能驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化來
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HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)展望：2024年及以后
- HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)是即將到來的“內(nèi)存內(nèi)計(jì)算/處理”時(shí)代的一種“近內(nèi)存計(jì)算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內(nèi)存制造商正在HBM技術(shù)的開發(fā)上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計(jì)算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內(nèi)存。因此，對(duì)于內(nèi)存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片
- 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，韓國存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計(jì)劃從 SK 海力士采購存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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Marvell 推出定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強(qiáng)
- 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間 10 日宣布推出“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項(xiàng)可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術(shù)對(duì)其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”采用了非行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 HBM I/O 接口設(shè)計(jì)，可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
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三星擴(kuò)大高帶寬存儲(chǔ)器封裝產(chǎn)能
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星正在擴(kuò)大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求，下一代高帶寬存儲(chǔ)器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術(shù)競爭力，并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距。· 蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業(yè)內(nèi)人士透露他們?cè)谌径纫淹嚓P(guān)廠商簽署了設(shè)備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴(kuò)大工廠的產(chǎn)能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴(kuò)大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計(jì)劃在韓國天安市新建一座專門
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如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？
- 任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄
- 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收，這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達(dá)到17.6萬億韓元，而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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