DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶(hù)將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。

ddr4和ddr5的區(qū)別

· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；

· 芯片密度：DDR4芯片密度為4GB，DDR5為16GB；

· 工作頻率：DDR4最高為3200MHz，DDR5最高達(dá)到6400MHz；

· 功耗：DDR4單條功耗為1.2V，DDR5降低至1.1V。

此外，DDR5內(nèi)存還具有改進(jìn)的命令總線效率、更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。雖然DDR5內(nèi)存具有更高的性能和更低的功耗，但是其價(jià)格也相對(duì)較高。

4月9日，美國(guó)實(shí)施“互惠關(guān)稅”但隨后給出90天的寬限期，促使買(mǎi)家和供應(yīng)商調(diào)整策略以應(yīng)對(duì)政策的不確定性，擴(kuò)大了DRAM和NAND閃存第二季度預(yù)期的合約價(jià)格上漲幅度。TrendForce指出，當(dāng)前內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅前囤貨和供應(yīng)控制因素的支撐，但整體市場(chǎng)仍存在很高的不確定性，長(zhǎng)期前景并不明朗。

由于中國(guó)內(nèi)存廠商的崛起對(duì)三星等傳統(tǒng)巨頭構(gòu)成了巨大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，三星、SK海力士和美光都可能會(huì)逐步停產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存，并把產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5、LPDDR5內(nèi)存以及用于GPU和AI系統(tǒng)的HBM。

中國(guó)廠商如CXMT和福建晉華的定價(jià)策略已使2023年至2024年間的平均內(nèi)存價(jià)格下降超過(guò)60%，三星及其他主要內(nèi)存制造商的DDR4市場(chǎng)逐漸縮小。據(jù)報(bào)道，CXMT的產(chǎn)能已達(dá)到每月20萬(wàn)片芯片，并計(jì)劃在2024年底之前增至30萬(wàn)片，這使得DDR4價(jià)格進(jìn)一步下滑。

三星的這一決策無(wú)疑將加速內(nèi)存技術(shù)的演變，并可能對(duì)未來(lái)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。值得注意的是，三星也將停止其HBM2E產(chǎn)品的生產(chǎn)，目前已進(jìn)入最后采購(gòu)階段，接下來(lái)會(huì)將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4。

近年來(lái)，隨著人工智能、高性能計(jì)算和PC對(duì)高性能內(nèi)存需求的快速增長(zhǎng)，HBM內(nèi)存的市場(chǎng)前景廣闊。但三星在HBM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售上一直落后于SK海力士和美光，為了更好地與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抗衡，三星需要加快技術(shù)迭代，將資源集中到新一代產(chǎn)品上。