Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統功率性能

　　移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。

　　Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供更高性能，同時管理好尺寸、成本和功率。”

　　Qorvo的全新50V GaN晶體管系列可通過更出色的系統級效率大幅節省操作和系統成本。該系列采用小尺寸和較高阻抗輸入/輸出引線，可幫助優化雷達、通信、航空電子、寬帶放大器和測試儀表的電路板設計。

　　QPD1009和QPD1010現在采用低成本的3x3mm QFN塑料封裝，而QPD1008(L)和QPD1015(L)現在則采用行業標準的熱性能增強型NI-360氣腔陶瓷封裝，提供有耳式和無耳式版本。該GaN晶體管系列的工作功率水平為 10W至125W。

　　Qorvo是全球領先的GaN RF供應商。自1999年起，Qorvo 就一直在推動GaN研究和創新，提供經過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC計劃。公司還是唯一一家達到制造成熟度(MRL)9級的GaN供應商。Qorvo一直推動GaN產品的下一代系統創新(從直流到Ka頻段)，憑借其可靠性能、低成本維護和長運行壽命，成功實現從工廠到現場的轉變。