關鍵優勢：● 隨著 CPU 內核數量不斷增加，改進后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創新架構改進和模組內建電源管理功能，有助于優化系統整體運行性能 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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美光 數據中心 DRAM DDR5
近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業長江存
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DRAM NAND
全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規模約占56%，NAND Flash市場規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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存儲芯片 DRAM NAND Flash
國內半導體儲存器行業市場前景及現狀如何?半導體存儲器行業是全球集成電路產業規模最大的分支：半導體行業分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業，根據功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調研半導體儲存器行業前景及現狀分析 國內開始布局存儲產業規模化，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產業也取得明顯的進展。在半導體國產化的大趨勢下，國內存儲器行業有望迎來新的發展和機遇。 半導體儲存器行業產業鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網
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存儲 DRAM 市場
根據TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發生在需求相對穩健的服務器領域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續引發原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
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TrendForce DRAM
據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產業仍處于供過于求，因此即便
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TrendForce DRAM
SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。擁有當前業界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
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SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續創新高。華邦電自行開發的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創下歷史新高，每股凈利1.15元優于預期
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DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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三星 內存擴展器 CXL DRAM
根據市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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DRAM 集幫咨詢
今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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DRAM 微結構
三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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美光 EUV DRAM
根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場已提前出現PC DRAM需求疲弱的態勢。賣方積極調節手上庫存，持續降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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TrendForce PC DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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