DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業現狀，但仍舊無濟于事。
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DRAM 芯片
內存漲價今年底也要到頭了，投行機構也看衰內存行業前景，認為明年內存價格會跌，不過在內存業內廠商來看，內存市場已經變天了，已經變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
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DRAM，
今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
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紫光國微，DRAM
近日國際半導體產業協會SEMI公布了最新的中國集成電路產業生態系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。 2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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晶圓 DRAM 3D NAND
IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長。 如圖所示，超過一半的行業資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產，包括對現有晶圓廠產線和全新制作設施的升級。總的來說，預計今年內存將占到半導體資本支出的53%，達到
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存儲器 DRAM
8月20日，研究機構ICInsights發布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據發布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯發科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DRAM NAND
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創新高。除了圖像處理內存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用類別的內存季漲幅約在3%左右。 展望第三季價格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
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DRAM 美光
智能手機的漲價潮已然是一種普遍現象，Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始，曾經標售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
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手機 DRAM
根據集邦咨詢半導體研究中心最新調查，DRAM原廠已陸續與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價水平將較接近主流標準型與服務器內存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產品類別更換。DDR3則呈現相對穩健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內存價格走勢預估將持平。 DDR3具成本優勢，短期仍為利基型記內存主流 就產品應用種類觀察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩，約為2.157億臺。不過
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DRAM DDR3
幾年前突然“大火”的存儲行情，給業界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續到 2019 上半年。 DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
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閃存 DRAM
在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區聯邦地區法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實存在侵權行為。而這是中國發展半導體一路被指稱“竊密”和“侵權”以來，首次成功重拳回擊。
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芯片，美光，DRAM
受惠于市場需求強力推升，服務器存儲器供應持續吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現良率問題，應用于高階服務器產品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業者近日仍紛紛接獲消息，業界預計最快1~2個月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產出供不應求，將為下半年市場價格漲幅投下變量。 根據市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質量疑慮，并遭到數據中心客戶退貨，且在改善
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SK海力士 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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