11 月 2 日消息，據國外媒體報道，受電子消費品續期下滑影響，當前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領域的需求，卻在不斷增長。研究機構在最新的報告中就表示，服務器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務器對 DRAM 的需求，會達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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DRAM 市場
當地時間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術節點實現了量產準備。據官方介紹，美光于2021年實現1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區儲存的位元數也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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功率效率 美光 1β DRAM
2022年11月2日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點的1β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節點的DRAM產品還具備低延遲、低功耗和高
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美光 1β技術節點 DRAM
IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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美光 LPDDR5X-8500 內存 1β DRAM
近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內存速度可達到當前業界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優化應用處理器和存儲器之間的高速信號環境，三星超過了自身在今年3月創下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU
Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL
1.1規格，而該規格可先實現的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce認為
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TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現有材料可能無法在所需厚度下實現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPAR
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SPARC 先進邏輯 DRAM 沉積技術
市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦 DRAM NAND
根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續沖擊消費市場需求，故優先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實現最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車規級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
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美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂系統
IT之家 7 月 18 日消息，日經新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產品的 DDR3 型的 4GB 內存連續 2 個月下跌。指標產品的 6 月大單優惠價環比下跌 1 成，創出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個，環比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
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DRAM 市場
在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正 俄烏戰爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務部公布的數據顯示，美國一季度G
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DRAM 半導體 市場
隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發展新驅動力?！ ∑囆酒瑥膽铆h節可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規模
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北京君正 兆易創新 DRAM NAND
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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