電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯的現象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統，以實現高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現在對高性能
關鍵字：
SiC GaN 電力電子
近日，納芯微宣布其車規級CAN FD收發器芯片NCA1044-Q1順利通過豐田VeLIO（Vehicle LAN Interoperability and Optimization）認證。在此之前，該產品已獲得歐洲權威機構IBEE/FTZ-Zwickau EMC認證。兩項國際權威認證的相繼取得，標志著NCA1044-Q1在兼容性、電磁抗擾性以及系統適配性方面均達到了全球領先水平。NCA1044-Q1：國內首顆通過VeLIO認證的CAN FD收發器VeLIO認證由豐田制定，用于考察通信類芯片在車輛局域網下的
關鍵字：
納芯微 CAN FD收發器 豐田VeLIO
中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
關鍵字：
東芝 SiC MOSFET
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
關鍵字：
東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
關鍵字：
SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
關鍵字：
第三代半導體 GaN 拓墣產業研究院 SiC
隨著人工智能（AI）快速發展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產品與技術，通過雙方合作加速創新型碳化硅（SiC）解決方案、節能產品及系統的開發，助力構建更可持續的未來。Microchip負責高功
關鍵字：
Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
關鍵字：
onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%，而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
關鍵字：
650V GaN 器件 高功率應用 SiC
6月25日，香港特區政府創新科技局轄下創新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產業加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
關鍵字：
香港 8英寸 SiC 晶圓廠
在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸到故障負載的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統電路
關鍵字：
SiC 熔絲保護
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
關鍵字：
安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
關鍵字：
SiC Combo JFET 安森美
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
關鍵字：
羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
關鍵字：
意法半導體 SiC MOSFET
can sic介紹
您好，目前還沒有人創建詞條can sic!
歡迎您創建該詞條，闡述對can sic的理解，并與今后在此搜索can sic的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473