東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協議

據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。

東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導體的損耗，開發高可靠性、高效率的產品。為實現這一目標，東芝電子元件不僅依賴自主研發，還積極尋求與SiC襯底技術領先企業的合作。此次與天岳先進達成合作，將為各類應用場景提供更優解決方案，助力業務擴展。

天岳先進自2010年成立以來，專注于單晶SiC襯底的開發與生產，將品質與技術研發作為核心經營理念。公司在碳化硅襯底領域的專利數量位居全球前五。2022年，天岳先進成為中國首家上市的SiC概念企業，實現了全球化業務拓展與市場份額的快速增長。2024年，公司率先發布全球首款12英寸SiC襯底，并計劃在2025年實現全系產品的12英寸襯底布局。未來，天岳先進將繼續以卓越品質與尖端技術贏得客戶信賴。

通過此次合作，天岳先進將結合東芝電子元件對SiC襯底核心技術的需求，進一步提升襯底品質與可靠性，推動SiC功率半導體市場的發展。雙方將基于此次簽署的基本協議，繼續商討具體合作內容，以實現業務共贏。