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    can sic 文章 最新資訊

    SiC過剩預警:新能源汽車能否消化瘋狂擴產?

    • 就在去年,「搶占 SiC,誰是電動汽車市場的贏家?」「第三代半導體,來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽,市場利好,一片光明。好景沒有一直延續下去?!赶⒎Q 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰役」……新能源車爆火,那 SiC 怎么了?核心矛盾:需求增長 VS 產能狂飆根據預測 2025 年全球 SiC 襯底產能預計達 400 萬片,需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
    • 關鍵字: SiC  

    復旦大學研發新型SiC MOSFET器件

    • 在功率半導體領域,碳化硅(SiC)MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率,被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而,如何在確保擊穿電壓(BV)的同時優化導通電阻(Ron),一直是行業亟待解決的難題。近日,復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據復旦大學研究團隊透露,他們基于電荷平衡理論,通過對離子注入工藝的深度優化,成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數據顯示,這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
    • 關鍵字: 復旦大學  SiC  MOSFET器件  

    SiC市場的下一個爆點:共源共柵(cascode)結構詳解

    • 安森美 (onsemi) cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現最低的RDS.A,需要權衡的一點是其常開特性,這意味著如果沒有柵源電壓,或者JFET的柵極處于懸空狀態,那么JFET將完全導通。然而,開關模式在應用中通常需要常關狀態。因此,將SiC JFET與低電壓硅M
    • 關鍵字: SiC  共源共柵  cascode  安森美  

    ROHM發布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”

    • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響,因此在設計階段的仿真驗證中,模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復現性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題,亟待改進。新模型“ROHM Level 3(L3)”通過采用簡化的模型
    • 關鍵字: ROHM  SPICE模型  ROHM Level 3  SiC MOSFET模型  

    SiC Combo JFET講解,這些技術細節必須掌握

    • 安森美推出了具有卓越 R DS(on) *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分,將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用,可以將低壓硅(Si) MOSFET與常開
    • 關鍵字: 安森美  SiC  Combo  JFET  

    因中國價格戰和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產計劃

    • 根據 MoneyDJ 援引日經新聞的一份報告,電動汽車 (EV) 市場增長放緩,加上中國制造商增產導致供應過剩,導致價格下跌,據報道,這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產電動汽車碳化硅功率半導體的計劃。日經新聞指出,瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而,該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團隊。日經新聞補充說,預計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內加劇,這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產中快速獲利。根
    • 關鍵字: 價格戰  Wolfspeed  瑞薩電子  SiC  

    Wolfspeed破產傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風險

    • 據日本媒體《日刊工業新聞》報道,據報道,總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出,這一發展促使日本公司(包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及 Rohm)重新評估其戰略計劃。正如日刊工業新聞所說,瑞薩電子可能會受到影響,因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協議。報告指出,如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護,瑞薩電子可能
    • 關鍵字: Wolfspeed  破產  瑞薩電子  SiC  

    將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

    • 功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs (SAL) 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證,該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示,這項技術可以提高效率,同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 (SiC) 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
    • 關鍵字: 電流傳感器  EV  SiC  功率模塊  

    驅動汽車電子創新:RIGOL CAN-FD總線分析解決方案

    • 在當今快速發展的汽車行業中,智能化、網聯化和自動駕駛技術的興起正在重塑汽車的電子架構。隨著車輛功能的日益復雜,從高級駕駛輔助系統(ADAS)到車聯網(V2X)通信,再到整車級的軟件更新(OTA),汽車內部的數據傳輸需求呈指數級增長。傳統 CAN 總線技術由德國博世公司于1986年推出,在面對當今復雜多變的汽車電子架構時,已逐漸顯露出其性能瓶頸。為了突破這一限制,滿足汽車行業對高速數據傳輸和高可靠性通信的需求,2015年由ISO 11898-1標準定義,CAN-FD(CAN with Flexible Da
    • 關鍵字: RIGOL  CAN-FD  示波器  

    東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體
    • 關鍵字: 東芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

    東芝在SiC專利申請中挑戰泰科天潤

    • 中國功率芯片開發商泰克天潤(Global Power Technology) 在碳化硅 (SiC) 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示,2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志,以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人,幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
    • 關鍵字: 東芝  SiC  專利申請  泰科天潤  

    CHIPS 法案、電動汽車關稅加劇了Wolfspeed的現金危機

    • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后,Wolfspeed(歐勝)的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商,Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力,可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續虧損中,現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長,不過該公司正在尋求第11章法規的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分,我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇,”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 (Robert Feurle) 說。據報道,資產管理公
    • 關鍵字: CHIPS  Wolfspeed  SiC  

    SiC開始加速批量上車

    • 在新能源汽車技術的演進歷程中,碳化硅(SiC)技術已成為推動行業發展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料,SiC 憑借其卓越的性能優勢,已深度融入新能源汽車的核心系統,開啟了新能源汽車性能提升與技術創新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款,從純電動到混合動力,SiC 技術的應用范圍不斷拓展,正以前所未有的速度實現批量上車,重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態勢。碳化硅實現多價格區間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素,如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區間的車型
    • 關鍵字: SiC  

    SiC襯底市場 去年營收減9%

    • TrendForce最新研究,2024年汽車、工業需求走弱,SiC基板出貨量成長放緩,與此同時,市場競爭加劇,產品價格大幅下跌,導致2024年全球N-type(導電型)SiC基板產業營收年減9%,為10.4億美元。進入2025年,即便SiC基板市場持續面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力,然而,長期成長趨勢依舊不變,隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升,未來SiC應用將更為廣泛,特別是在工業領域的多樣化。 同時,市場競爭激烈的環境下,加速企業整合,重新塑造產業發展格局。TrendForce分析各供應商營收
    • 關鍵字: SiC  襯底  TrendForce  

    內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統采用

    • 全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?!癝unny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
    • 關鍵字: 羅姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模塊  太陽能  
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