第三代半導體洗牌GaN躍居主角

拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。

拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。

GaN組件具備優異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫療設備等新興場景。

隨中國大陸等地積極推動產業自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國力圖建立從材料、晶圓制造到封裝測試的完整在地產業鏈，以降低對外依賴。

能源轉型與AI技術逐步演進，GaN不再只是碳化硅（SiC）的補充材料，而是逐步取代其在中壓、高頻功率領域的角色。

產業策略亦由過往的「技術推動」轉為「應用驅動」，廠商積極與系統整合商協作，共同開發電源模塊與封裝方案，打通產品與終端應用間的界線，擴展商業規模與利潤潛能。

拓墣指出，未來三至五年全球數據運算密度與功耗需求將急速上升，GaN因具備技術成熟度與垂直整合優勢，將在中低壓、高頻應用領域發揮關鍵作用。

相較于SiC，GaN展現出更高的靈活性與擴展性，將成為2025年跨入主流應用的轉折點。

GaN產業發展將聚焦三大方向：一是技術創新，包括垂直GaN組件、高電壓承受力與300mm晶圓制程，并導入雙面散熱、嵌入式等先進封裝技術，以提升性能并降低成本。

二是應用拓展，涵蓋再生能源、工業馬達、太空應用、V2G雙向充電等新興領域; 三是推動永續，GaN的高能效轉換特性有助全球節能減碳，符合凈零碳排目標。

拓墣認為，掌握GaN技術，并實現商業化的企業，將于未來半導體產業變局中占據領先優勢，成為全球能源轉型與智慧科技發展的核心。