外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業化

據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。

三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。

考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。

與現有的DRAM市場不同，3D DRAM市場上目前還沒有絕對的領導者，因此快速量產才是至關重要的。隨著ChatGPT等人工智能（AI）應用產品的活躍，市場對高性能、大容量存儲半導體的需求將會增加。