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    3d dram 文章 最新資訊

    美光發布 LPDDR5X-8500 內存:采用先進 1β 工藝,15% 能效提升

    • IT 之家 11 月 1 日消息,美光今天發布了 LPDDR5X-8500 內存,采用先進 1β 工藝,正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發送樣品。據官方介紹,美光 2021 年實現 1α 工藝批量出貨,現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱,最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升,每個 die 容量為 16Gb。美光表示,隨著 LPDDR5X 的出樣,移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時,消
    • 關鍵字: 美光  LPDDR5X-8500  內存  1β DRAM  

    SK海力士:未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃

    • 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注,對此,SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業績發表會上,針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境,作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中,“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復,SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外,針對美國對芯片設備出口的管制,SK海力士表示,
    • 關鍵字: SK海力士  DRAM  NAND  

    臺積電宣布聯手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯盟

    • 臺積電10月27日宣布,成立開放創新平臺(OIP)3D Fabric聯盟以推動3D半導體發展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據悉,3DFabric聯盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術,使得他們能夠與臺積電同步開發及優化解決方案,也
    • 關鍵字: 臺積電  三星  ARM  美光  OIP 3D Fabric  

    IQE 宣布與全球消費電子領導者達成長期戰略協議

    • -        長期批量供應協議即刻生效-        為下一代 3D 傳感應用開發 VCSEL 技術-        進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領導者的地位 IQE plc(AIM 股票代碼:IQE,以下簡稱“IQE”或“集團”),全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材
    • 關鍵字: IQE  VCSEL   3D 傳感  

    西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設計

    • 西門子數字化工業軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路(IC)關鍵可測試性設計(DFT)。隨著市場對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升,IC設計界也面臨著嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構,以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個晶粒,使其能夠作為單一組件運作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰,因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰,西門子推出Tess
    • 關鍵字: 西門子  2.5D  3D  可測試性設計   

    高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一

    •   10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優勝獎,實現多個項目上金牌和獎牌零的突破。  本次特別賽韓國賽區比賽于10月12日開幕,共舉行8個項目的比賽,吸引了來自34個國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐。  其中,來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發項目金牌,成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者。  來自深圳技師學院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術項目、云計算項目金牌,實現我國在這兩個項目上
    • 關鍵字: 世界技能大賽  3D  云計算  

    8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM運行速度創新高

    • 10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內存速度可達到當前業界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優化應用處理器和存儲器之間的高速信號環境,三星超過了自身在今年3月創下的7.5Gbps的最高運行速度,夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存(DRAM)市場的推動者,三星一直在努力推進高端智能手機普及,使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
    • 關鍵字: 三星  LPDDR5X  DRAM  

    SK海力士與美國完成協商,確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

    • SK海力士于10月12日通過聲明表示,公司完成與美國商務部進行協商,確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此,SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應,進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示:“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作,在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱,將限制用于在中國生產18納米以下
    • 關鍵字: SK海力士  DRAM  NAND  

    TrendForce:存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產品

    • 據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出,CXL(Compute Express Link)原是希望能夠整合各種xPU之間的性能,進而優化AI與HPC所需要的硬件成本,并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮,但由于可支援CXL功能的服務器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL 1.1規格,而該規格可先實現的產品則是CXL存儲器擴充(CXL Memory Expander)。因此,TrendForce認為
    • 關鍵字: TrendForce  集邦咨詢  存儲器  CXL  AI/ML  DRAM  

    SPARC:用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

    • 芯片已經無處不在:從手機和汽車到人工智能的云服務器,所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而,隨著芯片特征變得更小,現有材料可能無法在所需厚度下實現相同性能,從而可能需要新的材料。 泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術,用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是,它可以沉積超薄層,并且在高深寬比的結構中保持性能,還不受工藝集成的影響,可以經受進一步處理。SPAR
    • 關鍵字: SPARC  先進邏輯  DRAM  沉積技術  

    AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

    • 疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業快速轉型,走向更自動化、數字化的智能化方向。因此,各產業對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業快速轉型,走向更自動化、數字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中,傳統人力逐漸被取代,也改變產線人員配置的傳統生態,其中,可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發揮精準有效的優勢,還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄,降低不必要的時間成本與人力成本,快速穩定且
    • 關鍵字: 自動光學檢測  AOI  AI  3D  檢測鐵三角  

    西門子與聯華電子合作開發3D IC混合鍵合流程

    • 西門子數字化工業軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作,面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術,提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術,客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
    • 關鍵字: 西門子  聯華電子  3D IC  混合鍵合流程  

    庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13~18%

    • 市調機構表示,在高通脹影響下,消費性產品需求疲軟且旺季不旺,第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減,各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購,導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變,市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形,導致第四季DRAM價格續跌13%~18%。標準型DRAM方面,由于筆電需求疲弱,OEM廠仍將著重去化DRAM庫存,而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下,未有實際減產情形,故位產出仍持續升高,供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
    • 關鍵字: 集邦  DRAM  NAND  

    集邦:明年DRAM需求位成長8.3%創新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

    • 根據集邦科技指出,2023年DRAM市場需求位成長僅8.3%,是歷年來首度低于10%,遠低于供給位成長約14.1%,分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻,價格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過于求,但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看,高通膨持續沖擊消費市場需求,故優先修正庫存是品牌的首要目標,尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題,品牌超額下訂,加上通路銷售遲緩,使得目前筆電整機庫存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面,
    • 關鍵字: 集邦  DRAM  NAND  

    美光車規級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

    • 全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布其車規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(ADAS)實現最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合,理想L9智能座艙系統還集成了美光車規級LPDDR4和UFS 2.1技術,為用戶提供出色的娛樂和用
    • 關鍵字: 美光  智能座艙  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  車載信息娛樂系統  
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    3d dram介紹

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