2024 年 1 月 18 日，中國上海 —— Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布推出業界首款標準低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），提供從 16GB 至 64GB 的容量選項，為 PC 提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。LPCAMM2 內存模塊現已出樣，并計劃于 2024 年上半年量產，這是自 1997 年業界采用小型雙列直插式內存模塊（SODIMM）以來，客戶
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美光 LPDDR5X 內存模塊 LPCAMM2
疫情后數字時代的復蘇，使得世界數字經濟快速發展、數據產業百業待興，因此數據存儲市場也逐漸迎來活力；存儲市場經歷了價格戰，減產維穩到“硬漲價”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競爭勢態。當然，在面對挑戰和威脅的時候，也激勵著存儲技術持續突破。與此同時，環境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術的快速發展，也讓市場競爭格局分化，各細分領域爭奪激烈。存儲器是集成電路的重要組成部分，根據WSTS統計，2022年全球半導體市場規模達到5741億美金，其中集成電路市場規模4744億美金，占比 82.6%，存儲器的市場規模
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在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關注這類病癥，了解到如果盡早地發現和干預，可使病癥發展減緩。同時，患者需要大量的康復訓練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區、社會，同時因為昂貴的康復費用等因素，為康復帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關的醫學電子正向數據驅動型、精準診療方向發展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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美光 存儲器 AI 精神健康
據IBM官網消息，美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發中心。IBM稱，這將是北美第一個也是唯一一個擁有高數值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統的公共研發中心，可為開發和生產小于2nm的節點芯片鋪平道路。
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IBM 美光 EUV
2023 年 12 月 11 日，中國上海——Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，基于美光 232 層 NAND技術的 3500 NVMe? 固態硬盤（SSD） 現已向客戶出貨，用于滿足商業應用、科學計算、新款游戲和內容創作對工作負載的嚴苛需求，從而進一步實現性能突破。美光 3500 SSD 采用 M.2 外形規格，容量高達 2TB，提供了超越競品的用戶體驗[[1]]，在SPECwpcsm 測試中表現突出，能將產品開發應用性能提升至高 7
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美光 客戶端 SSD，SSD
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領先業界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環境中廣泛的任務關鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
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存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達GPU芯片。美光最新路線圖延長至2028年，比7月發布時延長兩年，內容也調整過，增加幾款新產品。美光目前第二代HBM3運行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預計2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GD
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美光 存儲
存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
11月10日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌，結束了標指和納指兩年來最長的連續上漲。美聯儲主席鮑威爾警告稱，可能需要提高基準利率來抑制通貨膨脹。道瓊斯指數收于33891.94點，下跌220.33點，跌幅0.65%；標準普爾500指數收于4347.35點，跌幅0.81%；納斯達克指數收于13521.45點，跌幅0.94%。大型科技股多數下跌，谷歌和亞馬遜跌幅超過1%；Meta上漲，漲幅不到1%。芯片龍頭股漲跌不一，英偉達、高通、博通和美光上漲，美光漲幅超過1%；臺積電、英特爾和Arm等下跌，Ar
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在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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三星 美光 HBM
不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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美光 進博會 LPDDR5 內存 存儲技術
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴展現實?(XR)?平臺——第二代驍龍? XR2?驗證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優性能和更低功
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美光 低功耗內存 XR2平臺 混合現實 MR 虛擬現實 VR
美光的新一代內存，目前已出貨給數據中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數據中心及客戶端平臺，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存數據庫等。美光推出的16Gb DDR5內存，以其領先1β制程節點技術，美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產品，在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數據中心及客戶端應用。
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美光 高速內存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業界領先的1β（1-beta）制程技術應用于16Gb容量版本的 DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM在系統內的速率高達7,200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場的所有客戶出貨?；?β節點的美光DDR5內存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術[[1]]，相比上一代產品，性能提升高達50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內核數量的不斷增加以滿足數據中心工作負載需求，系統
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美光 1β技術DDR5內存
美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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