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    應用材料公司推出Extensa PVD系統

    —— 為存儲芯片的制造提供關鍵的銅阻擋層技術
    作者: 時間:2008-07-25 來源:電子產品世界 收藏

      近日,公司推出Applied Endura® (物理氣相沉積)系統,這是業界唯一在亞55納米銅互聯的關鍵阻擋層薄膜沉積工藝中具有量產價值的系統。系統獨特的Ti/TiN工藝技術使擴散阻擋薄膜具有高水準的階梯覆蓋率,整塊硅片上薄膜厚度的不均勻性<3%。同其他同級別競爭對手的系統相比,它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/86248.htm

      公司副總裁兼金屬沉積產品部總經理Prabu Raja表示:“由于存儲單元的高電壓和高密集度封裝要求,在存儲器件中使用銅材料需要應對在薄膜整合方面獨特的挑戰。制造廠商正在使用新的襯墊/阻擋層方案,以最具成本效益的方式充分利用銅材料的優點。以其經過驗證的單系統解決方案實現了這些關鍵的新型擴散阻擋層的高性能整合,幫助存儲器制造廠商在32納米及更小技術節點上實現較高的生產良率。”

      公司的Extensa系統具有杰出的性能,并且已經在多個客戶的工廠內得到驗證。這些優秀性能來源于Ti/TiN沉積反應腔所采用的多項(物理氣相沉積)技術創新。新型雙磁體(化學氣相沉積)源極的側向電磁器具有磁通量整形功能,可以提供無與倫比的階梯覆蓋率,并能將≥0.12μm的微粒控制在10個以下。擁有專利的源極技術也提高了沉積材料的使用效率,并將靶材的使用壽命延長了30%。此外,反應腔的工具套件包括擁有專利的CleanCoat™技術,可以方便地進行維護工作和微粒控制。

      Extensa技術整合在非常成功的應用材料公司Endura平臺上,它能提供Ti/TiN沉積解決方案,為存儲器的兩個技術轉型提供支持:一個是在銅阻擋層/晶種層應用中用鈦基電介質阻擋層取代鉭;另一個是采用銅-鋁和銅-鎢擴散阻擋層來實現銅和鋁層以及鎢孔道的最具成本效益的整合。

      更多的應用包括存儲器件的接觸孔襯墊,以及邏輯芯片的金屬柵極和硅化物覆蓋阻擋層沉積。Endura架構獨特的靈活性使其成為業內唯一能在單獨系統中提供整合的銅-鋁阻擋層和鋁填充解決方案的系統。



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