道康寧電子部推出XR-1541電子束光刻膠

　　全球材料、應(yīng)用技術(shù)及服務(wù)綜合供應(yīng)商美國(guó)道康寧公司電子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解決方案事業(yè)部今日宣布正式開始供應(yīng)Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠，該產(chǎn)品是專為實(shí)現(xiàn)下一代、直寫光刻工藝技術(shù)開發(fā)所設(shè)計(jì)。這一新型先進(jìn)的旋涂式光刻膠產(chǎn)品系列是以電子束（electron beam）取代傳統(tǒng)光源產(chǎn)生微影圖案，可提供圖形定義小至6納米的無(wú)掩模光刻技術(shù)能力。

　　可用于各種高純度、半導(dǎo)體等級(jí)配方的XR-1541電子束光刻膠，是由甲基異丁基酮(methylisobutylketone, MIBK)帶性溶劑中的含氫硅酸鹽類(hydrogen silsesquioxane ,HSQ)樹脂所構(gòu)成。這些負(fù)光刻膠（negative-tone resists）可在標(biāo)準(zhǔn)旋涂沉積涂佈設(shè)備上使用，在單一涂佈中形成30到180納米等不同厚度的薄膜，而定制化的配方還可應(yīng)客戶需求生產(chǎn)更薄或更厚的薄膜。此外，新型光刻膠還提供絕佳的蝕刻阻抗以及下降至3.3納米的邊線定義，可在標(biāo)準(zhǔn)水基顯影劑中顯影。

　　直寫式電子束光刻不需任何掩模即可制造非常小的納米尺度結(jié)構(gòu)。首先將光刻材料的薄膜應(yīng)用與硅晶片，接著，使用狹窄的電子束將光阻曝光使其在顯影劑中不易溶解，而未曝光區(qū)域則可被選擇性地移除以產(chǎn)生精細(xì)的圖案。

　　“目前，將光刻技術(shù)延伸至32納米節(jié)點(diǎn)工藝應(yīng)用上正面臨了技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)效益上的挑戰(zhàn)。”道康寧硅晶片光刻解決方案全球行銷經(jīng)理Jeff Bremmer表示，“我們創(chuàng)新的新型光刻膠提供研究機(jī)構(gòu)一個(gè)經(jīng)濟(jì)的方式，以可能的最高解析度直寫圖案，將可促進(jìn)積體電路制造、掩模或納米壓印模具的新一代光刻工藝技術(shù)開發(fā)。” 。

　　許多大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)采用以HSQ為基礎(chǔ)的電子束光刻膠直寫精細(xì)的圖案。“藉由XR1541電子束光刻膠在市場(chǎng)上供應(yīng)，研究機(jī)構(gòu)將更容易購(gòu)買并取得這些關(guān)鍵硅基材料。”Bremmer指出。

　　自2004年進(jìn)入此一市場(chǎng)以來(lái)，道康寧硅晶片光刻解決方案事業(yè)部一直為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供光刻膠和抗反射涂料的硅基樹脂材料。