恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導體（由飛利浦創建的獨立半導體公司）發布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產品（如筆記本電腦、PDA和數碼相機）的發熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業及汽車領域。

　　華碩公司研發處主任鄭慶福表示：“卓越的節能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦TCO’99認證的關鍵因素。通過與恩智浦的合作，我們有眾多高品質BISS晶體管可以選擇，并能夠以最佳價格成本設計開發各種創新型高性能電腦、通信及消費電子產品解決方案。”

　　第三代BISS晶體管的最大集電極電流為5.8 安培，它使用網狀發射極技術降低RCEsat，從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat。BISS晶體管可用于提高中等功率DC/DC轉換、負荷開關、高邊開關（high side switch）、電機驅動器、背光變極器應用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應用的效率。恩智浦目前大批量生產供應的BISS晶體管有120多種。

　　恩智浦半導體市場經理Jens Schnepel表示：“如今明智的消費者都希望便攜設備的待機時間能夠更長，并要求所有電子設備具有更好的節能性。對于設計大批量生產的中等功率設備的OEM廠商而言，我們的第三代BISS晶體管無疑是極具成本效益的理想選擇。”

供貨情況

　　目前提供三種塑封低VCEsat BISS晶體管：SOT457（六腳）、SOT89（三線、配有確保良好傳熱性的集電極片）和SOT223（四線、配有更多散熱片）。