四強投資動作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場

　　盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業(yè)界預期未來3~4年內存儲器產業(yè)既有平衡競局恐將被打破。

　　半導體業(yè)者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預計2016年真正順利量產的存儲器大廠只有三星，其他業(yè)者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開序幕。

　　值得注意的是，3D NAND技術帶來突破性的成本降低，將攸關固態(tài)硬碟(SSD)市場發(fā)展，未來云端伺服器及企業(yè)SSD應用，亟需成本降低的存儲器解決方案來驅動市場快速成長，目前看來3D NAND技術能做到大量取代傳統硬碟，讓SSD市場滲透率飛躍前進。

　　現階段全球存儲器產業(yè)維持四強寡占的平衡競局，但各廠臺面下投資動作暗潮洶涌，三星與SK海力士在2015年初宣布大規(guī)模的長期設備投資計劃，美光與東芝亦致力發(fā)展NAND Flash新技術，建廠計劃如火如荼進行中，業(yè)界預期存儲器產業(yè)平衡狀態(tài)可能在未來3~4年內被打破。

　　根據韓媒D-Daily報導，SK海力士最近宣布未來10年內將投資46兆韓元(約396億美元)，興建包含利川M14在內的3個新廠，若加計維護及建物設備投資，總投資額高達75兆韓元(約645億美元)。

　　目前SK海力士擁有的12吋生產線有利川M10、忠北清州M11、M12及大陸無錫HC2，其中，利川與無錫廠生產DRAM，清州廠生產NAND Flash，原本M10廠負責的DRAM會移轉到M14新廠生產，M10廠20納米級DRAM產能為13萬片12吋晶圓，M14新廠產能為20萬片，未來將可視需求快速擴產，至于M10廠未來可能用來生產系統芯片、NAND Flash或做為研發(fā)設施。

　　三星正在京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(約134億美元)，估計12吋晶圓產量可達20萬片，但生產項目仍未定;原本打算做為系統LSI廠的華城17產線，先改為生產DRAM;至于三星大陸西安NAND Flash廠首期生產規(guī)模為每月10萬片12吋晶圓。

　　美光在購并爾必達(Elpida)之后，將新加坡DRAM廠轉為生產NAND Flash，且致力發(fā)展3D NAND Flash，新加坡10X廠第1季開始進行量產3D NAND Flash的設備轉換，預定2016年中投入量產。至于美光與英特爾(Intel)合資公司IM Flash，則陸續(xù)購并美國與新加坡NAND Flash工廠投入營運。

　　另外，日廠東芝與美國SanDisk合資的3家大型NAND Flash制造廠亦陸續(xù)啟動，其中，屬于超大型工廠的晶圓五廠已完成第二階段投資開始啟動，改建為尖端生產線的晶圓二廠最近在進行測試，預估2016年完工后將擴大供應量。