- 據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
- 關鍵字：
三星電子 VCT DRAM
vct介紹
您好，目前還沒有人創建詞條vct!
歡迎您創建該詞條，闡述對vct的理解，并與今后在此搜索vct的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
