- 在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發優勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續第二個季度穩居全球第一，并進一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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- 據外媒報道，特朗普政府擬通過補助資金置換股權的方式，強行入股英特爾、美光、三星、臺積電四大芯片巨頭?！耙怨蓳Q補”即是以美國《芯片與科學法案》相關補貼換取相關公司的股份的一種說法。當地時間周二，美商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）證實，美國聯邦政府正與英特爾磋商，考慮用英特爾獲批的相關補貼換取該公司10%的股份。如若此舉可行，美國政府將成為英特爾的最大股東。盧特尼克強調，即便政府入股，也不會獲得投票權或董事會席位，“這不是治理權問題，我們只是把拜登政府時期的贈款轉化為特朗普政府時代的股
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- 美國商務部長霍華德·盧特尼克在 CNBC 的采訪中確認，政府正在尋求對英特爾持有 10%的股份，但華盛頓正在考慮更進一步。據路透社報道，盧特尼克正在探索一項計劃，以補貼為代價，在臺積電、三星和美光等《芯片法案》受益企業中持有股份。據 CNBC 報道，盧特尼克強調英特爾股份將不具投票權，并澄清該計劃并非關于治理，而是將補助金轉化為美國人民的股權。盡管白宮新聞秘書卡羅琳·利維特稱此舉是一項“創造性的”行動，優先考慮美國的安全和經濟需求，但路透社提出，此類交易將是史無前例的——這標志著美國對主要芯片制造商的影響
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- 美光基于其 G9 NAND 平臺推出了三款突破性數據中心 SSD，鞏固了其在存儲領域的領導地位。根據其新聞稿 ，該新系列提供了全球首款 PCIe Gen6 NVMe SSD，行業領先的 E3.S 容量，以及專為人工智能數據中心設計的低延遲主流 Gen5 SSD。Micron 9650 SSD：全球首款 PCIe Gen6 數據中心 SSD根據美光的說法，9650 SSD 無與倫比的 28 GB/s 性能極大地加速了 AI 訓練和推理工作負載。與 Gen5 SSD 相比，9650 在每瓦性能方面表
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- 美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環、缺陷篩選和動態老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環境中的可靠性。這
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- SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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美光 自適應寫入 QLC NAND
- 人工智能 （AI） 基礎設施的主導地位將 Micron Technology （MU） 推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷售額達到創紀錄的 93 億美元，同比增長 37%，凸顯了其在為 AI 系統供應高帶寬內存 （HBM） 芯片方面的關鍵作用。分析師認為，美光在 AI 內存熱潮中的戰略地位，加上被低估的倍數，使其成為一個引人注目的游戲。但與所有半導體股一樣，周期性風險和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應該注意的原因，以及為什么謹慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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- 美光在 2025 財年第三季度的創紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發和半導體制造設施——這是
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美光 HBM 內存
- 美光在 2025 財年第三季度創紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現在的目標是到年底在 HBM 市場占據大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關注，但人們也關注其全球產能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內外的最新制造舉措。美國生產時間表指向 2027 年開始根據其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
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- 據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大?！备鶕﨑RAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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- 全球三大DRAM原廠確定從DDR4規格，轉向先進制程產品。 繼韓系兩大內存業者先后釋出DDR4停產時程，美光（Micron）確定已向客戶發出信件通知DDR4將停產（EOL，End of Life），預計未來2~3季陸續停止出貨。美光執行副總裁暨業務執行長Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示，DDR4將繼續「嚴重缺貨」，未來美光DDR4/LPDDR4 DRAM，僅會策略性針對三大領域長期客戶持續供應，而DDR5/LPDDR5產品正進入市場價格甜蜜點。美光同步釋出未來市場策略走向，會針對獲利
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美光 DDR4 停產大缺貨
- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數據傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術制造的 24GB DRAM 器件，以及臺積電使用其 12FFC+（2nm 級）或 N5（5nm 級）邏輯工藝技術生產的邏輯基礎芯片。美光最新一代
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- 生成式AI持續爆發，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰局，爭搶AI加速器內存主導權。 其中，美光搶先宣布送樣，技術領先態勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預計2026年正式量產。美光指出，HBM4具備內存內建自我測試（MBI
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- 隨著內存巨頭加大對 10 納米級 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開始運送全球首款基于 1γ 節點的 LPDDR5X 內存的認證樣品，旨在增強旗艦智能手機的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工藝標志著第六代 10nm 級 DRAM，預計將在今年晚些時候加速量產。該節點的線寬約為 11 至 12 納米，在韓國半導體行業通常稱為 1c DRAM。ZDNet 還指出，LPDDR5X 代表了目前市場上最先進的一代低功耗 DRAM，主要應用于移動設備。根據美光的新聞
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- 美光科技今日（5?月?27?日）宣布，Motorola?最新功能強大的翻蓋手機Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X內存以及先進的UFS 4.0解決方案。該款智能手機搭載Motorola基于大型語言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解決方案為其提供了所需的容量、能效、速率和性能。美光企業副總裁暨手機和客戶端業務部門總經理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X內存和UFS 4.0存儲解
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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