- 據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
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東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
- 作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上海基地項目似乎更受關注。近日，天岳先進上海基地項目披露了最新進展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業區的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規模和產能規劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
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天岳先進 碳化硅
- 【2023 年 5 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與中國碳化硅供應商山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。該協議不僅可以讓英飛凌多元化其碳化硅（SiC）材料供應商體系，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的碳化硅材料供應。根據該協議，天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。根據該協
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英飛凌 天岳先進 晶錠
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