臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠基建完工，量產(chǎn)時(shí)間表曝光

據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電為滿足客戶對(duì)美國(guó)制造需求的增長(zhǎng)，正在加速推進(jìn)其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電亞利桑那州二廠（P2）已完成基建，預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前，臺(tái)積電正根據(jù)客戶對(duì)AI芯片的強(qiáng)勁需求，加快量產(chǎn)進(jìn)度，整體時(shí)間表較原計(jì)劃有所提前。
供應(yīng)鏈分析指出，臺(tái)積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求，并應(yīng)對(duì)美國(guó)政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉，亞利桑那州二廠的機(jī)臺(tái)最快將在明年9月進(jìn)場(chǎng)安裝，首批晶圓預(yù)計(jì)在2027年下線。通常情況下，晶圓廠在完成基建后，還需要約兩年時(shí)間進(jìn)行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整，臺(tái)積電的推進(jìn)速度已相當(dāng)高效。
此外，臺(tái)積電的加速建廠計(jì)劃也將惠及相關(guān)供應(yīng)鏈廠商。例如，漢唐、帆宣等中國(guó)臺(tái)灣廠務(wù)工程業(yè)者因積累了一廠（P1）的建設(shè)經(jīng)驗(yàn)，有望進(jìn)一步優(yōu)化長(zhǎng)期盈利能力。同時(shí)，特殊氣體和化學(xué)品供應(yīng)商也將陸續(xù)接到臺(tái)積電美國(guó)廠的訂單。
值得注意的是，亞利桑那州的晶圓一廠和二廠均為晶圓代工廠，并未配套先進(jìn)封裝設(shè)施。因此，4nm和3nm芯片仍需運(yùn)回中國(guó)臺(tái)灣進(jìn)行封裝。盡管臺(tái)積電此前宣布將在美國(guó)投資建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠，但相關(guān)評(píng)估仍在進(jìn)行中，包括人力資源和工廠許可等問(wèn)題。據(jù)透露，亞利桑那州第一座先進(jìn)封裝廠（AP1）最快將于明年第三季度動(dòng)工，主要聚焦SoIC技術(shù)，而CoWoS封裝仍需在中國(guó)臺(tái)灣完成。