透明新材料為先進電子和量子設備鋪平道路

明尼蘇達大學的研究人員開發出一種透明的導電材料，大大提升了電子在高功率電子設備中的移動速度和效率，為人工智能、計算機技術和量子技術等領域帶來了潛在變革。該材料能夠在可見光和紫外光下保持透明，同時實現前所未有的高性能，這是半導體設計中的一項重要突破，有望推動全球半導體產業的發展。

半導體是智能手機和醫療設備等電子產品的核心。為滿足新技術需求，科學家不斷研發超寬帶隙材料，這些材料能在極端條件下高效傳導電力，適用于更耐用的電子設備。本研究通過增大材料的“帶隙”來提升透明度和導電性，為高性能計算、智能手機，甚至量子計算機的突破性發展奠定了基礎。

提高透明性和導電性

研究團隊開發的這種新型透明導電氧化物具有特殊的層狀結構，在保持導電性的同時提高了透明度。這項創新為未來的高速、高效設備提供了有力的材料解決方案，尤其適用于需求迅速增長的人工智能和技術領域。

材料結構的技術驗證與優化

明尼蘇達大學化學工程與材料科學教授Bharat Jalan表示，這一突破徹底改變了透明導電材料的性能，克服了深紫外設備在性能上的長期限制。此外，博士生Fengdeng Liu和Zhifei Yang在Jalan的實驗室中進行了多次實驗，消除材料中的缺陷，以優化性能。

“通過電子顯微鏡觀察，我們發現這種材料幾乎無缺陷，表明氧化物鈣鈦礦在缺陷控制下可以成為強大的半導體材料。”該研究的資深作者Andre Mkhoyan教授補充道。

這項研究的論文于2024年11月1日發表在《科學進展》期刊上，明尼蘇達大學和加州理工學院的科學家們合作完成了研究，資金來源包括美國空軍科學研究辦公室、國家科學基金會和明尼蘇達大學材料科學與工程中心。

參考文獻：Liu, F., Yang, Z., Abramovitch, D., Guo, S., Mkhoyan, K.A., Bernardi, M., & Jalan, B. (2024). Deep-ultraviolet transparent conducting SrSnO3 via heterostructure design. Science Advances, DOI: 10.1126/sciadv.adq7892