傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。

根據(jù)報(bào)道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購訂單。

據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì)在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。

此外，目前美光最大的HBM生產(chǎn)基地在臺(tái)灣地區(qū)，另據(jù)日經(jīng)亞洲引述知情人士透露，美光科技正在美國建設(shè)先進(jìn)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片的測(cè)試生產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，滿足AI熱潮帶來的更多需求。

美光曾表示，公司目前正積極強(qiáng)化HBM技術(shù)并同步擴(kuò)充產(chǎn)能，公司目標(biāo)是到2025年將HBM（AI芯片的關(guān)鍵組件）的市場(chǎng)份額提高三倍以上，達(dá)到20%左右。