三星將采用HBM4內存的混合鍵合

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。

高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。

這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔 （TSV） 垂直互連（通過每個 DRAM 晶粒傳輸數據、時鐘、控制信號、電源和接地）。然而，隨著 HBM 的速度越來越快，DRAM 器件的數量越來越多，微凸塊會變得效率低下，因為它們限制了性能和能效。

這就是混合粘合發揮作用的地方。混合鍵合是一種 3D 集成技術，通過鍵合銅到銅和氧化物到氧化物的表面來直接連接芯片，無需微凸塊?；旌湘I合支持低于 10 μm 的互連間距，與傳統的基于凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能，以及更薄的 3D 堆棧。

但是，有一個問題。混合鍵合是一種相當昂貴的技術，雖然 HBM 存儲器的三大領先制造商都考慮將其用于 12-Hi HBM3E，但美光和三星最終使用了 TC-NCF，而 SK 海力士則使用了 MR-MUF。對于 HBM4，三星計劃使用混合鍵合，而 SK 海力士正在開發先進的 MR-MUF 技術以及混合鍵合作為備用工藝。

SK海力士可能會使用傳統的模制底部填充膠而不是混合粘接，這是有原因的?；旌湘I合所需的專用設備比傳統封裝工具貴得多，并且需要更多的晶圓廠物理空間。

這會影響資本效率，尤其是在晶圓廠占地面積有限的情況下。因此，SK海力士正在謹慎行事。如果它發現其先進的 MR-MUF 技術提供了相同（或類似）的性能結果和良好的產量，那么它寧愿繼續使用 MR-MUF 至少再一代。