如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)？

作者：時(shí)間：2023-06-19 來(lái)源：安森美

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NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(STO)這六個(gè)部分的參數(shù)、功能和設(shè)計(jì)技巧。

本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/202306/447790.htm

這篇文章我們將重點(diǎn)關(guān)注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩(wěn)壓器、柵極驅(qū)動(dòng)電路中的箝位二極管、布局布線(xiàn)考慮等內(nèi)容。

外部 BJT 緩沖器可提升驅(qū)動(dòng)電流，因而廣泛用于驅(qū)動(dòng)具有較大柵極電荷的較高電流功率半導(dǎo)體器件。為了從緩沖器獲得更高的驅(qū)動(dòng)電流，BJT 須具有很高的直流增益。此外，通過(guò)使用低值基極電阻 (R_B) 來(lái)為緩沖器提供高基極電流。典型應(yīng)用電路如圖 28 所示，其中包括內(nèi)部功率開(kāi)關(guān)和 STO 開(kāi)關(guān)。雖然較低基極電阻值有助于實(shí)現(xiàn)更高的驅(qū)動(dòng)電流，但它仍必須足夠高，以限制去飽和情況下的基極電流。由于這種折衷，軟關(guān)斷可能無(wú)法在短路情況下充分抑制過(guò)壓尖峰。圖 29 顯示了正常工作情況下以及 DESAT 激活時(shí)軟關(guān)斷情況下的電流路徑。

圖 28：外部 BJT 緩沖器的典型應(yīng)用電路

圖 29：正常工作和 DESAT 激活情況下的灌電流路徑

為了降低基極電流，額外的 RC 網(wǎng)絡(luò)可以在基極電阻和 OUT/L 節(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生電壓。此額外電壓節(jié)點(diǎn)可以降低 DESAT 情況下的基極電流，并防止 PNP BJT (QL) 進(jìn)入硬飽和狀態(tài)，允許其緩慢導(dǎo)通。額外 RC 網(wǎng)絡(luò)的原理圖如圖 30 所示。電壓和電流的近似方程如下所示。

同時(shí)

考慮 BJT 在有源模式區(qū)域工作。

圖 30：外部 BJT 緩沖器的典型應(yīng)用電路

R_EX 根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 中拉電流/灌電流 MOSFET 的電流應(yīng)力而得到。它需要折衷考慮電流應(yīng)力和 Vx(t)。通常，R_EX 值應(yīng)小于 R_B 或等于R_B。C_EX 值根據(jù) R_EX 的功耗而得到，它仍須具有足夠的時(shí)間常數(shù)以讓 V_x(t) 緩慢衰減。如果 C_EX 較高，軟關(guān)斷 (STO) 將更容易實(shí)現(xiàn)。一般而言， R_EX 將是固定值，而 C_EX 可調(diào)，以使 IGBT 在短路情況下軟關(guān)斷。

具有額外 RC 網(wǎng)絡(luò)（R_EX 和 C_EX）的外部 BJT 緩沖器的示例電路如圖 31 所示。比較波形如圖 32（無(wú) RC 網(wǎng)絡(luò)）和圖 33（有 RC 網(wǎng)絡(luò)）所示。這些 RC 波形表明，在 DESAT 情況下，RC 網(wǎng)絡(luò)具有在 IGBT 柵極產(chǎn)生軟關(guān)斷波形的效果。RC 網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)應(yīng)確保正常運(yùn)行時(shí)不會(huì)影響驅(qū)動(dòng)。圖 34 和圖 35 顯示，使用選擇的 R_EX 和 C_EX 值時(shí)，RC 網(wǎng)絡(luò)不影響導(dǎo)通上升時(shí)間；圖 36 和圖 37 顯示關(guān)斷下降時(shí)間的結(jié)果也一樣。

圖 31：外部 BJT 緩沖器的典型應(yīng)用電路

圖 32：DESAT 激活時(shí)無(wú) RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

圖 33：DESAT 激活時(shí)有 RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

圖 34：導(dǎo)通時(shí)無(wú) RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

圖 35：導(dǎo)通時(shí)有 RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

圖 36：關(guān)斷時(shí)無(wú) RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

圖 37：關(guān)斷時(shí)有 RC 網(wǎng)絡(luò)情況下的輸出和負(fù)載電壓波形

作為偏置柵極驅(qū)動(dòng)器的經(jīng)濟(jì)高效方案，齊納分離式穩(wěn)壓器廣泛用于多種應(yīng)用中，因?yàn)樗档土俗儔浩髦械睦@組并減少了元件。它可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)器偏置要求（包括負(fù)偏置 V_EE2）從單極性電壓產(chǎn)生正偏置和負(fù)偏置電壓。

圖 38 顯示了使用齊納分離式穩(wěn)壓器的隔離轉(zhuǎn)換器輸出的典型原理圖。

圖 38：齊納分離式穩(wěn)壓器的典型電路

正偏置為柵極驅(qū)動(dòng)器的 V_DD2 供電，負(fù)偏置為 V_EE2 供電。V_DD2 電壓被齊納二極管的齊納擊穿電壓箝位，V_EE2 電壓將是總直流輸出電壓中的剩余電壓。據(jù)此，齊納二極管必須擊穿以在所有負(fù)載電流范圍內(nèi)維持V_DD2的正電壓，否則正電壓和負(fù)電壓無(wú)法如預(yù)期的那樣維持，而是上下擺動(dòng)，導(dǎo)致 UVLO 觸發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)。等效電路如圖 39 所示。

圖 39：齊納分離式穩(wěn)壓器的等效電路

NCD(V)5700x 系列在不同輸入信號(hào)頻率和負(fù)載電容下的正負(fù)偏置電源電流（I_DD2 和 I_EE2）已顯示在圖 7 和圖 8 中。它可以轉(zhuǎn)換為正負(fù)偏置的等效負(fù)載電阻 R_L(VDD2) 和 R_L(VEE2)。為了確保齊納二極管擊穿，偏置電阻須滿(mǎn)足下式。

同時(shí)

確定偏置電阻 R_B 后，應(yīng)關(guān)注最大直流齊納電流 (I_ZM)。必須考慮齊納二極管和 R_B 的功耗限制。應(yīng)考慮器件容差以充分維持 V_DD2 > V_ZD。齊納二極管的額定功率和偏置電阻可以得知，推薦使用的齊納二極管如表 4 所示。

表 4：齊納二極管 (ZD)

注意：齊納擊穿電壓是典型值，在室溫下定義。

由于布局和器件封裝的原因，電源環(huán)路和驅(qū)動(dòng)環(huán)路中的寄生電感很難避免。驅(qū)動(dòng)環(huán)路中的峰值驅(qū)動(dòng)電流越高，或者電源環(huán)路中的功率器件電流越高，di/dt 就會(huì)越高。此更高 di/dt 會(huì)通過(guò)寄生電感 (Lk) 產(chǎn)生更高 dv/dt，并且該快速瞬態(tài)電壓可能高于正偏置 (V_DD2) 或低于負(fù)偏置 (V_EE2)，導(dǎo)致高頻循環(huán)電流進(jìn)入柵極驅(qū)動(dòng)器。高頻循環(huán)電流路徑如圖 40（正 di/dt）和圖 41（負(fù) di/dt）所示。建議添加箝位二極管，如圖 42 所示。高頻循環(huán)電流可以直接通過(guò)偏置電容，而不是進(jìn)入柵極驅(qū)動(dòng)器。此外，正箝位二極管 (D_C(VDD2)) 可以維持 IGBT 柵極電壓等于偏置電壓，以防止柵極電壓上升以及在短路情況下產(chǎn)生更高的峰值短路電流。

圖 40：正 di/dt 中的循環(huán)電流路徑

圖 41：負(fù) di/dt 中的循環(huán)電流路徑

圖 42：負(fù) di/dt 中的循環(huán)電流路徑

為了獲得良好的抗擾度并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作，使用柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用必須考慮布局和布線(xiàn)。導(dǎo)通和關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)電流路徑如圖 43 所示。此圖顯示了從柵極驅(qū)動(dòng)器到功率器件的主要驅(qū)動(dòng)環(huán)路。驅(qū)動(dòng)環(huán)路應(yīng)盡可能小并且阻抗較低，以減小環(huán)路的雜散電感。此高驅(qū)動(dòng)電流路徑僅經(jīng)由偏置電容和內(nèi)部 MOSFET 到達(dá) IGBT 柵極。偏置電容須盡可能靠近柵極驅(qū)動(dòng)器的 VDD2 和 VEE2 引腳引線(xiàn)。返回路徑有一個(gè)低阻抗走線(xiàn)或平面以連接 IGBT 的發(fā)射極。

考慮到高質(zhì)量去飽和檢測(cè)，防止高 dV/dt 和 dI/dt 引起的串?dāng)_噪聲在大功率應(yīng)用中非常重要。去飽和檢測(cè)環(huán)路和驅(qū)動(dòng)環(huán)路應(yīng)分開(kāi)，以避免串?dāng)_噪聲進(jìn)入。在圖 44 所示的原理圖中，接地電阻 RGND 將信號(hào)偏置電容 C、CVEE2(S) 與驅(qū)動(dòng)偏置電容 C_VDD2(P)、C_VEE2(P)分開(kāi)。對(duì)于去飽和保護(hù)而言，從 IGBT 集電極到發(fā)射極的該單獨(dú)檢測(cè)走線(xiàn)具有良好的抗擾度。信號(hào)電容 C_VDD2(S) 和 C_VEE2(S) 的建議值為至少 1.0 μF，驅(qū)動(dòng)電容 C_VDD2(P) 和 C_VEE2(P)的建議值至少為 10 μF，接地電阻 RGND的建議值為 4.7 Ω 以上。推薦布局布線(xiàn)概念如圖 45（無(wú) BJT 緩沖器）和圖 46（有 BJT 緩沖器）所示。