安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

全新產品系列包括快速開關MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領先行業的每開關超低導通電阻Rds(on)，采用行業標準封裝

2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。全新產品系列包括有助于提高開關速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800 V電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。 

該產品組合還包括采用半橋功率集成模塊（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有領先業界的超低Rds（on），采用標準F2封裝。這些模塊非常適用于工業應用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉換階段。它們提供更高的集成度，采用優化的直接鍵合銅設計，實現了并聯開關之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度，適用于能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源（UPS）。 

安森美高級副總裁兼先進電源分部總經理Asif Jakwani說：“安森美最新一代汽車和工業EliteSiC M3S產品將助力設計人員減小其應用占位和降低系統散熱要求。這有助于設計人員開發出能效更高、功率密度更大的高功率轉換器。” 

車規級1200 V EliteSiC MOSFET專用于高達22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉換器。M3S技術專為高速開關應用而開發，具有領先同類產品的開關損耗品質因數。