貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo^? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。

貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達13.3 dB的增益，并能在Doherty設(shè)計環(huán)境中實現(xiàn)高達90 W的超高效信號峰值功率。

為了便于開發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個示例應(yīng)用電路，在與現(xiàn)有設(shè)計結(jié)合使用時可加快原型設(shè)計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對稱Doherty設(shè)計等應(yīng)用。

作為全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子庫存有豐富的半導(dǎo)體和電子元器件，并積極引入原廠新品，支持隨時發(fā)貨。貿(mào)澤旨在為客戶供應(yīng)全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。為幫助客戶加速設(shè)計，貿(mào)澤網(wǎng)站提供了豐富的技術(shù)資源庫，包括技術(shù)資源中心、產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計信息、設(shè)計工具以及其他有用的信息。