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    美光推進DDR5內存芯片:2019年底量產

    作者: 時間:2018-10-19 來源:快科技 收藏

      盡管JEDEC(固態存儲協會)的標準尚未定案,Cadence(鏗騰)和已經開始研發16Gb容量的產品,并計劃在2019年底量產。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201810/393102.htm

      事實上,早在今年5月,Cadence就展示了首款內存驗證模組,DRAM來自,接口層自研,采用臺積電7nm工藝,數據率可達4400MT/s,也就是頻率高達4400MHz。

      根據的最新說法,其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產,基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內存模組的系統最快2020年面世。

      按照進度,JEDEC有望年底公布DDR5最終規范,起步頻率4800MHz,最高6400MHz。其它規劃中的變化還有,電壓降低、每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數量以改善性能等。

      由于AMD要支持AM4接口到2020年,看來已經做好技術預留了?


    美光推進DDR5內存芯片:2019年底量產



    美光推進DDR5內存芯片:2019年底量產


    關鍵詞: 美光 DDR5

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