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    東芝針對移動設備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

    作者: 時間:2013-08-27 來源:電子產品世界 收藏

      高功耗封裝陣容擴大

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/164325.htm

      東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經為和平板電腦等的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型,包括兩種電池。

      隨著更多功能添加至和手機、平板電腦和筆記本電腦等以及對它們的電池提出更多要求,公司不斷顯著增加充電電流來縮短充電時間,以提高電荷密度和改善用戶體驗。新的超緊湊型“SSM6J781G”和“SSM6J771G”是高功耗封裝的高電流陣容的最新成員。即日起開始批量生產和出貨。

      應用

      和手機、平板電腦和筆記本電腦等的高電流充電開關。

      推薦電路

      高端開關(P溝道)
      結合升壓控制LSI的高端開關(N溝道)
      低端電池保護的控制開關(N溝道)

      主要特性

      ♦ 高電流
      ♦ 低導通電阻
      ♦ 低電容
      ♦ 小型封裝(1.5 x 1.0mm;WCSP6C)
      ♦ 高功耗

      主要規格

    N溝道
    產品型號 VDSS
    (V)
    VGSS
    (V)
    ID(DC)
    (A)
    RDS(ON)典型值(mΩ) PD
    (W)
    VGS=2.5V VGS=-4.5V
    SSM6K781G 12 ±8 7 17.9 14.4 1.2
    P溝道MOSFET
    產品型號 VDSS
    (V)
    VGSS
    (V)
    ID(DC)
    (A)
    RDS(ON)典型值(mΩ) PD
    (W)
    VGS = -4.5V VGS = -8.55V
    SSM6J771G -20 ±12 -5 26 23 1.2



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