東芝在SiC專利申請中挑戰泰科天潤

中國功率芯片開發商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。

法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。

這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。

第一季度授予了 420 多個專利族，其中有五家日本公司——電裝/豐田、富士電機、住友電工、三菱電機和東芝——以及 GPT。所有這些都為電動汽車應用提供設備，凸顯了技術的潛在轉變。同樣，日產-雷諾聯盟申請了一項專利，旨在提高溝槽式 SiC MOSFET 的柵極可靠性，在柵極溝槽下方具有電場弛豫區域。

與此同時，本季度有 120 多項專利到期或被放棄，其中近 20% 來自目前面臨破產的 Wolfspeed。

Microchip Technology 已恢復其在 SiC 功率器件專利領域的專利申請活動，披露了三項與具有硅通道的混合 SiC MOSFET 相關的發明，以提供更高的載流子遷移率和開關損耗、功率密度、

本季度還見證了約 40 項專利轉讓，在 1 月份被安森美 （onsemi） 收購后，Qorvo 將幾項專利重新轉讓給了聯合碳化硅公司 （United Silicon Carbide）。本季度還有 15 家新公司，其中大部分來自中國。

SICC 仍然是 SiC 襯底專利領域最多產的專利申請人之一，并且仍然是為數不多的為中國境外創新尋求專利保護的中國公司之一。其最近的 PCT 應用旨在通過減少殘余內應力和在大直徑 200mm 晶圓上實現更均勻的應力分布來提高晶體質量。

與此同時，普渡大學推出了一種基于 SiC MOS 的功率器件，具有超短通道長度，可實現超低的比導通電阻。

我們的 2025 年第一季度報告深入探討下一代 SiC 器件，重點介紹了針對 SiC 超結結構（Rohm、Toshiba）、SiC JFET （Onsemi） 和 SiC IGBT（Hitachi、GlobalFoundries、Rohm、Toshiba）發布新專利申請的公司。

在新公布的專利申請中，日立考慮將半絕緣 SiC 襯底用于 10kV 以上的中壓 （MV） 應用，以降低相應 SiC 器件的制造成本，無論是 PiN 二極管還是 IGBT。

奧爾堡大學的一項新專利出版物也考慮了將設備集成到中壓 15kV 功率模塊中，旨在減少高壓和接地焊盤之間溝槽中的最大電場。

封裝也是一個關鍵的創新領域，安森美已經申請了倒裝芯片和預成型夾片功率模塊的專利，日立的高溫下具有高鍵合可靠性的芯片貼裝專利，以及賽米控丹佛斯的低電感布局的三電平功率模塊的專利。