• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設備

    Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設備

    —— 這項技術具備先進半導體存儲設備大批量生產所需的性能
    作者: 時間:2012-09-25 來源:新浪網 收藏

      得克薩斯州奧斯汀2012年9月24日電 /美通社/ -- 納米圖案成形系統與解決方案的市場與技術領導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布,該公司已經獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某設備公司的機中,包括 MII 專有的最新 Jet and Flash 壓印 (J-FIL) 技術,這項技術具備先進存儲設備大批量生產所需的性能。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/137223.htm

      Molecular Imprints, Inc.獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某設備公司的機中,包括MII專有的最新壓印光刻技術,這項技術具備先進半導體存儲設備大批量生產所需的性能。

      Molecular Imprints 總裁兼首席執行官 Mark Melliar-Smith 表示:“這份多模板訂單是我們的客戶為 J-FIL在生產前最后準備階段的使用所投上的信任的一票。我們的設備和商用面具合作伙伴與內部團隊已經對開發活動進行了成功協調,并在去年取得了巨大的進步,特別是在減少不合格和降低整體擁有成本 (CoO) 方面有了很大的改善。我們期待著J-FIL 技術下一步的商業化進程,希望能為這個半導體存儲器接下來幾年的發展提供支持。”

      該公司的 J-FIL™ 技術已經展示了24納米圖案結構,其刻線邊緣粗糙度小于2納米(3西格瑪),臨界尺寸均勻性為1.2納米(3西格瑪),可擴展至10納米,使用的是簡單的單一圖案工藝。J-FIL 避免了功率受限的遠紫外線 (EUV) 光源、復雜的光學透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度,這些固有的擁有成本優勢使其非常適合用于半導體存儲器的制造。

     



    關鍵詞: 半導體 光刻

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 固镇县| 恭城| 汕尾市| 贡觉县| 察隅县| 延津县| 承德市| 和政县| 蛟河市| 苍山县| 徐闻县| 甘洛县| 中山市| 恩施市| 五华县| 基隆市| 余干县| 胶南市| 平潭县| 榕江县| 宜兰市| 文安县| 西昌市| 克什克腾旗| 高碑店市| 会同县| 九寨沟县| 太原市| 建湖县| 永春县| 乐清市| 奉贤区| 枞阳县| 凤山市| 昌图县| 梁平县| 平定县| 观塘区| 南开区| 宁陵县| 镇平县|