安森美推出High-Q IPD工藝設計套件

　　應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布提供針對公司High-Q 集成無源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設計套件(PDK)。這PDK開發是為了配合安捷倫科技的先進設計系統(ADS) 2011電子設計輔助(EDA)軟件一起使用，使安森美半導體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業界最全面射頻(RF)及微波設計平臺的優勢。

　　安森美半導體的High-Q  IPD工藝技術提供高電阻率硅銅(copper on high resistivity silicon)平臺，非常適合用于生產無源器件，如用于便攜、無線及射頻應用的平衡-不平衡轉換器、濾波器、耦合器、雙工器及匹配網絡。IPD技術用于安森美半導體在美國俄勒岡州Gresham的世界一流200 mm晶圓制造廠制造銅電感、精密電容及精密電阻。IPD為射頻系統級封裝提供高性價比方案。安森美半導體還為工程原型開發提供經濟合算的晶圓廠往返服務。此外，安森美半導體還提供多種應用定制規格的設計服務。

　　安森美半導體定制晶圓代工及IPD分部高級總監Rick Whitcomb說：“IPD工藝在射頻應用極受垂青，我們看到客戶極想要這工藝擴展至配合安捷倫的ADS平臺。我們為客戶提供包括布線和集成EM支援在內的完整ADS設計套件，他們便能利用安捷倫在射頻及微波設計領域經證明的專知之優勢。”

　　為客戶提供的全功能ADS設計套件可用于布線、仿真及驗證，支持電路圖驅使型布線生成、布線與電路圖對比檢驗、集成3D平面電磁及3D-FEM仿真器。

　　安捷倫科技EEsof EDA晶圓制造項目經理Juergen Hartung說：“ADS與IPD工藝完美匹配，ADS與安森美半導體IPD設計套件的組合使相互的客戶能夠獲得高效的集成設計平臺。ADS不僅為IPD裸片本身提供完整的從前到后工序應用平臺，還直接能設計出包含IPD的完整射頻模塊。”