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    安森美半導體推出汽車級非同步升壓控制器

    —— 能用于驅動外部N溝道MOSFET
    作者: 時間:2011-08-24 來源:中電網 收藏

      半導體(ON Semiconductor)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調節(jié)輸出非同步升壓

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/122908.htm

      是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內部穩(wěn)壓器為門驅動器提供電荷,它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性,提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本。峰值電流模式控制及內部斜坡補償確保這器件在寬汽車電池電壓范圍內穩(wěn)定工作,并在電流限制值被超過的情況下,通過在開關周期的剩余部分關閉電源開關,確保這器件在電流故障條件下受到保護。這器件還藉熱關閉機制(溫度閾值為170 ?C)及3.1 V欠壓鎖定來提供更多保護。

      可靈活編程,能根據要求提供其它不同頻率以供選擇。更多其它選擇包括不同的斜坡補償值、限流設定點,以及配接多種MOSFET的不同門驅動電壓。這器件還支持多種拓撲結構配置,包括升壓、反激、單端初級電感轉換器(SEPIC)及多相。升壓拓撲結構下的輸出功率范圍為數(shù)瓦(W)到最高200 W。

      半導體汽車產品分部總監(jiān)Jim Alvernaz說:“工作電壓最低達3.2 V,而市場上其它方案的最低工作電壓通常僅達4 V,使這器件脫穎而出,極適合發(fā)動機啟動/停止應用,而且它的高集成度也帶來其它優(yōu)勢。以前,工程師的唯一選擇是采用引腳數(shù)量更多、須使用大量外部元器件的更復雜器件。NCV8871簡化設計流程,縮減物料單(BOM),并縮短設計時間。”

      NCV8871的工作結點溫度范圍為−40 ?C至150 ?C。這器件采用無鉛、符合RoHS指令的SOIC-9封裝。



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