Intel欲將193nm沉浸式光刻技術延用至11nm制程節點

　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術發展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術延用至11nm制程節點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術的啟用日期。

　　Intel實驗室中的EUV曝光設備

　　根據會上Intel展示的光刻技術發展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術，沉浸式光刻工具方面，Intel從去年開始便獨家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻機制造32nm制程產品。(此前曾有傳言稱臺積電最近也購買了尼康公司的193nm沉浸式光刻設備,不過雙方后來矢口否認了這一傳言.)

　　過去Intel曾計劃在22nm制程節點轉向EUV技術，并計劃明年開始采用這種技術。不過據Intel負責高級光刻技術的高管Yan Borodovsky表示，Intel目前還沒有做好在22/15nm制程節點引入EUV技術的準備。他并表示Intel將在22nm制程節點繼續使用193nm沉浸式光刻技術。

　　Intel還在會上表示他們有能力將193nm沉浸式光刻技術延用至15nm制程節點，也就是說這項技術的壽命可望延續到2013年左右，Borodovsky并認為，按照目前的情況看來，193nm沉浸式光刻+pitch division的工藝組合才是實現15nm制程產品量產的“唯一選擇”。

　　不過他表示,在15nm節點制程處，Intel將“首先采用EUV技術進行試產，假如屆時無掩模技術已經成熟，那么我們還會采用這種技術進行試產。”

　　在接下來的11nm制程節點中，Intel仍有計劃想在五重掩模技術(five mask)的配合下繼續延用193nm沉浸式光刻技術，Borodovsky稱：“193nm沉浸式光刻技術應可在五重掩模技術的配合下滿足11nm制程的要求。”

　　據Intel表示，11nm制程節點上該公司的光刻技術將采用多種光刻工藝互補混搭的策略，將193nm沉浸式光刻技術與EUV,無掩模光刻(maskless)等技術混合在一起來滿足11nm制程的需求。

　　目前還不清楚Intel最終會采用EUV或無掩模光刻技術中的哪一種，Intel表示留給EUV技術最終成熟的時間點是在2011/2012年前;而留給無掩模技術的時間點則是在2012年以前。而其EUV領域的主要競爭對手三星公司將EUV技術投入實用的時間點也同樣定在了2012年前。