Intel 3 制程詳解：性能相比Intel 4 提升18%！

6月20日消息，據Tom's hard ware報道，當地時間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級制程工藝技術“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產，并提供了有關新的制程節點更多細節信息。

據介紹，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 采用了更多的EUV步驟，帶來了18%的性能提升，適用于超高性能應用。該節點面向英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內還將會推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進版本。

英特爾代工技術開發副總裁 Walid Hafez 表示：“我們基于Intel 3 制程的處理器正在美國俄勒岡州工廠和愛爾蘭工廠進行大批量生產，其中就包括最近推出的面向服務器的Xeon 6 ‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’處理器。”

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英特爾一直將其Intel 3 制程工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4 相比）、具有降低的晶體管通孔電阻的供電電路以及設計協同優化來實現尖端性能。該工藝節點支持 <0.6V 低壓、以及 >1.3V 高壓以實現最大負載。

在性能方面，英特爾承諾，與Intel 4 相比，Intel 3將在相同功率和晶體管密度下實現 18% 的性能提升，這個提升幅度已經是比較大了。要知道臺積電N3制程相比N3也只提升了15%左右。

雖然Intel 3的Contacted Poly Pitch（接觸孔的多晶硅柵極間距）、Fin Pitch、M0間距參數基本一致，芯片設計人員針對Intel 3 使用了 240nm 高性能和 210nm 高密度庫的組合，另外M2間距和M4間距均減少了2nm，從而提升了整體的密度和性能。

此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆棧之間進行選擇：14 層（成本優化）、18 層（性能和成本之間的最佳平衡）以及 21 層（性能更高）。

目前，英特爾將使用其 3nm 級工藝技術來制造其 Xeon 6 處理器數據中心處理器。最終，英特爾代工廠也將利用該生產節點為其它客戶制造數據中心級一類的高性能處理器。

另外，正如前面所指出的，除了基礎版的Intel 3制程，英特爾還將提供支持硅通孔并可用作基礎芯片的Intel 3-T。后續英特爾還將為芯片組和存儲應用提供功能增強型Intel 3-E。此外還有性能增強型Intel 3-PT，增加了9um間距TSV和混合鍵合，對晶體管堆疊技術進行優化，據說Intel 3-PT可以再度實現5%的性能提升，可以用于各種工作負載，例如 AI/HPC 和通用計算。

編輯：芯智訊-浪客劍