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    mos-fet 文章 最新資訊

    車載筆記本電源的設計制作

    • 此電源有兩種,輸入電壓不同分為12V和24V兩種,輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖,此電路屬升壓型...
    • 關鍵字: 車載筆記本  MOS  IC器件  

    eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉換器

    • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統,為網絡設備供電,這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
    • 關鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉換器  

    正確的同步降壓FET時序設計

    • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階...
    • 關鍵字: 同步降壓  FET  時序設計  

    SJ-MOS與VDMOS動態性能比較

    • 引言:為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導體物理學界提出的一種新型MOS結構,稱為...
    • 關鍵字: SJ-MOS  VDMOS  

    電源設計小貼士46:正確地同步降壓FET時序

    • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
    • 關鍵字: FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

    電源設計:正確地同步降壓 FET 時序

    • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
    • 關鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時序  

    X-FAB發表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝

    • X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018,世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
    • 關鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

    德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關

    • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
    • 關鍵字: TI  TPS27081A  FET  

    將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

    • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
    • 關鍵字: FET  光電  電位器  光耦    

    基于優化變換器的FET開關來改善能量效率

    •  在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現,設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。  AC/DC平均系統
    • 關鍵字: 改善  能量  效率  開關  FET  優化  變換器  基于  

    設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關

    • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合,包括電池供電存儲器電...
    • 關鍵字: 主電源  備用電源  FET-OR  

    舞臺功放MOS管改裝介紹

    • 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
    • 關鍵字: 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺  

    英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關器件

    • 英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能,可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統設計。
    • 關鍵字: 英飛凌  MOS  

    舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

    • 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
    • 關鍵字: 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

    對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖的方法

    • 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因此
    • 關鍵字: 緩沖  方法  進行  電壓  FET  關斷  轉換器  
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