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    mos-fet 文章 最新資訊

    羅姆與APEI聯合開發出SiC溝槽MOS模塊

    • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備,與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
    • 關鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

    用射頻開關優化智能手機信號

    • 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰性的射頻產品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
    • 關鍵字: 射頻開關  隔離度  插損  FET  pHEMT  

    Intersil集成化開關穩壓器簡化電源設計

    • 簡介   一提到電源設計,大多數工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
    • 關鍵字: intersil  FET  DC/DC  

    MOS場效應管逆變器自制

    • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程:     圖1  工作原理  一、方波的產生  這里采用CD4069構成方波信號發生器。電路中R1是補償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
    • 關鍵字: 自制  逆變器  效應  MOS  

    高性能、可高壓直接驅動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

    • NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
    • 關鍵字: 光耦  可調  死區時間  MOS  

    MOS管短溝道效應及其行為建模

    • 1 引 言  目前,實現微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
    • 關鍵字: 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  

    電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

    • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
    • 關鍵字: 逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源  

    舞臺功放MOS管改裝方法

    • 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
    • 關鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

    基于MOS開關的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

    • 摘要:本文研究了基于MOS固態開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
    • 關鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關  高頻  基于  

    MOS-FET與電子管OTL功放的制作

    MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

    MOS—FET甲乙類功率放大器

    MOS管驅動電路綜述連載(三)

    • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
    • 關鍵字: MOS  驅動電路  

    MOS管驅動電路綜述連載(二)

    • 現在的MOS驅動,有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于...
    • 關鍵字: MOS  

    MOS管驅動電路綜述連載(一)

    • 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
    • 關鍵字: MOS  
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