- 引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
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SJ-MOS VDMOS
- 0 引言 垂直導電雙擴散場（VDMOS）效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩定性高、開關速度快、驅動電流小、動態損耗小、失真小等優點。因此VDMOS廣泛應用在
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Arrhenius VDMOS 模型 可靠性
- 功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來，電力MOSFET得到
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研究 設計 200V VDMOS 大功率
- 摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設計方法。對設計參數進行了理論分析，并使用仿真工具時設計參數進行了驗證和優化。設計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數指標，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數
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研究 設計 VDMOS 大功率
- 在電動自行車里，直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續流二極管組成，六個續流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。這六個VDMOS管通過大電流，它們的輸出直接是定子的繞
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正確 使用 VDMOS 控制器 直流 電機 功率
- 分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數，為了減少寄生電容，提高開關速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統VDMOS的neck區多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區，改變VDMOS柵下耗盡區形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關時間，提高器件的動態性能。
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VDMOS 寄生電容
- 通過對DC／DC轉換器低頻噪聲測試技術以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析，發現使用低頻噪聲表征DC／DC轉換器的可靠性是對傳統電參數表征方法的一種有效補充。對DC／DC轉換器輻照損傷與其內部VDMOS器件1/f噪聲相關性進行了研究，討論了引起DC／DC轉換器輻照失效的原因。
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DC 相關性 研究 噪聲 VDMOS 輻照 損傷 器件 轉換器
vdmos介紹
垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優點，無論是開關
應用還是線形應用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
應用于電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音
響、汽車電器和電子鎮流器等。
特征:
接近無限大的靜態輸入阻抗特性，非常快的開關時間，導通
電阻正溫度系數，近似常數的跨導， 高 [
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